[发明专利]多晶硅栅干法刻蚀中收缩关键尺寸的方法有效
| 申请号： | 201310337025.6 | 申请日： | 2013-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN103441071A | 公开（公告）日： | 2013-12-11 |
| 发明（设计）人： | 高慧慧;杨渝书;秦伟;李程 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3105 | 分类号： | H01L21/3105;G03F7/40 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 竺路玲 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 多晶 硅栅干法 刻蚀 收缩 关键 尺寸 方法 | ||
1.一种多晶硅栅干法刻蚀中收缩关键尺寸的方法，其特征在于，包括如下步骤：
将曝光、显影后的晶圆置于背烘装置的底板上；
同时对上述曝光、显影后的晶圆进行背烘和电子束轰击，并根据工艺需要控制光阻收缩率；
光阻收缩率满足工艺需要后，对上述曝光、显影后的晶圆停止背烘和电子束轰击；
将上述停止背烘和电子束轰击的曝光、显影后的晶圆冷却至常温，之后进行后续工艺。
2.根据权利要求1所述的多晶硅栅干法刻蚀中收缩关键尺寸的方法，其特征在于，同时对曝光、显影后的晶圆进行背烘和电子束轰击，具体为：对曝光、显影后的晶圆背面进行背烘加热，同时对曝光、显影后的晶圆表面的光阻图形进行电子束轰击。
3.根据权利要求1所述的多晶硅栅干法刻蚀中收缩关键尺寸的方法，其特征在于，通过调节电子束剂量和能量来控制光阻收缩率。
4.根据权利要求1或3所述的多晶硅栅干法刻蚀中收缩关键尺寸的方法，其特征在于，所述光阻收缩率为对曝光、显影后的晶圆进行背烘和电子束轰击前、后的光阻关键尺寸的比值。
5.根据权利要求1-3任一项所述的多晶硅栅干法刻蚀中收缩关键尺寸的方法，其特征在于，所述电子束剂量为800-10000μC/cm2。
6.根据权利要求1-3任一项所述的多晶硅栅干法刻蚀中收缩关键尺寸的方法，其特征在于，所述电子束能量为20-100GeV。
7.根据权利要求1或2所述的多晶硅栅干法刻蚀中收缩关键尺寸的方法，其特征在于，所述背烘的温度为40-120℃。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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