[发明专利]一种形成侧墙的制备方法

权利要求书

1.一种侧墙的制备方法，应用于存储器的制造工艺中，其特征在于，所述方法包括：

步骤1、提供一具有存储单元区和外围逻辑区的半导体结构；

步骤2、于所述存储单元区中形成栅极之后，沉积第一氧化层覆盖位于所述存储单元区中的栅极表面及所述半导体结构暴露的上表面；

步骤3、刻蚀部分所述氧化层，在所述外围逻辑区中形成窗口图案，然后以剩余氧化层为掩膜向下进行刻蚀在所述外围逻辑区中形成栅极，且保留位于所述存储单元区中的氧化层；

步骤4、部分刻蚀剩余的氧化层，于所述存储单元区中栅极侧壁形成第一侧墙；

步骤5、沉积第二氧化层并部分刻蚀该第二氧化层，以形成第二侧墙和第三侧墙，所述第二侧墙覆盖所述外围逻辑区中的栅极侧壁，所述第三侧墙覆盖所述存储单元区栅极的第一侧墙的表面。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤3中，采用光刻工艺刻蚀所述氧化层，形成所述窗口图案，然后再采用干法刻蚀工艺在所述外围逻辑区中形成栅极。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤4包括以下步骤：采用高选择比的等离子刻蚀去除部分的剩余氧化层，然后再采用湿法刻蚀工艺去除外围逻辑区和存储单元区各自栅极顶部的氧化层及暴露于存储单元区上表面的氧化层，于所述存储单元区中栅极侧壁形成第一侧墙。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，沉积氧化层的厚度为300-500埃。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一侧墙结构的厚度为150-250埃。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一氧化层为二氧化硅。