[发明专利]监控集成电路制造中离子注入工艺的方法无效
| 申请号： | 201310337546.1 | 申请日： | 2013-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN103500718A | 公开（公告）日： | 2014-01-08 |
| 发明（设计）人： | 桑宁波;贺忻;雷通 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/265 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 竺路玲 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 监控 集成电路 制造 离子 注入 工艺 方法 | ||
1.一种监控集成电路制造中离子注入工艺的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
提供一需要进行离子注入工艺的半导体衬底和该离子注入工艺所允许形成的非晶层的厚度值范围；
对上述的半导体衬底进行所述离子注入工艺后，于所述半导体衬底上形成器件区域和测试区域；
获取所述测试区域中形成的离子注入区域的第二厚度值，并将该第二厚度值与所述厚度值范围进行比较，以判断是否继续该半导体衬底的后续工艺。
2.如权利要求1所述的监控集成电路制造中离子注入工艺的方法，其特征在于，
若所述第二厚度值在所述厚度值范围内时，则继续对所述半导体衬底进行后续的生产工艺；
若所述第二厚度值不在所述厚度值范围内时，则停止对所述半导体衬底进行后续的生产工艺。
3.如权利要求1所述的监控集成电路制造中离子注入工艺的方法，其特征在于，所述厚度值范围包括一上限值和一下限值；
当所述第二厚度值大于所述上限值时，将所述半导体衬底进行报废操作；
当所述第二厚度值小于所述下限值时，对所述半导体衬底重新进行所述离子注入工艺；
当所述第二厚度值等于所述下限值、或等于所述上限值、或大于所述下限值且小于所述上限值时，则对所述半导体衬底继续进行后续生产工艺。
4.如权利要求1所述的监控集成电路制造中离子注入工艺的方法，其特征在于，采用光学椭偏仪对所述测试区域进行量测，以获取所述非晶层的第二厚度值。
5.如权利要求1所述的监控集成电路制造中离子注入工艺的方法，其特征在于，所述方法还包括：
在进行所述离子注入工艺之前，根据工艺需求于一版图上设置若干测试区域图案，以利用所述版图对所述半导体衬底进行离子注入工艺；
其中，每个所述测试区域图案均对应一种离子注入工艺。
6.如权利要求5所述的监控集成电路制造中离子注入工艺的方法，其特征在于，每个所述测试区域图案的面积为50um×50um～100um×100um。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
