[发明专利]用于沉积工艺的反应腔室及其中托盘温度的调节方法

权利要求书

1.一种用于沉积工艺的反应腔室，其特征在于，包括：

托盘，用于承载衬底；

加热器，用于通过加热托盘对托盘上放置的衬底进行加热；

进气单元，设置在所述托盘的远离所述加热器的一侧，所述进气单元包括冷却腔室，所述冷却腔室内填充有冷却介质，所述冷却介质对进气单元进行冷却；

温度探测器，用于检测托盘或衬底的温度；

位移装置，用于基于所述温度探测器检测的温度和目标温度之间的差值，调整进气单元与托盘之间的距离。

2.如权利要求1所述的用于沉积工艺的反应腔室，其特征在于，所述位移装置设于反应腔室顶部，所述进气单元通过所述位移装置与反应腔室活动连接，悬置于衬底和托盘上方。

3.如权利要求1所述的用于沉积工艺的反应腔室，其特征在于，所述位移装置设置于托盘的远离所述进气单元的一侧。

4.如权利要求3所述的用于沉积工艺的反应腔室，其特征在于，所述托盘下方设置有旋转装置，所述旋转装置用于支撑托盘并且带动所述托盘进行旋转运动，所述位移装置位于所述旋转装置下方，所述位移装置通过调整所述旋转装置与进气单元之间的距离，来调整所述旋转装置上方的托盘与所述进气单元的距离。

5.如权利要求1所述的用于沉积工艺的反应腔室，其特征在于，还包括：

温度控制器，用于接收来自温度探测器获得的温度数据，用于将所述温度数据与目标温度比较，基于所述比较结果确定距离调整方式，并将所述距离调整方式的指令输入至所述位移装置，控制所述位移装置调整托盘与进气单元之间的距离。

6.如权利要求5所述的用于沉积工艺的反应腔室，其特征在于，所述距离调整方式的指令包括：

增大托盘与进气单元之间的距离的指令，用于提高托盘温度；

减小托盘与进气单元的之间的距离的指令，用于降低托盘温度；

维持托盘与进气单元之间的距离保持不变的指令，用于维持托盘温度不变。

7.一种反应腔室中托盘温度的调节方法，其特征在于，反应腔室包括：用于承载衬底的托盘；用于通过对托盘上放置的衬底进行加热的加热器；用于输送反应气体的进气单元，设置在所述托盘的远离所述加热器的一侧，所述进气单元还包括用于对进气单元进行冷却的冷却腔室，所述冷却腔室内填充有冷却介质；用于检测托盘或衬底的温度的温度探测器；用于基于所述温度探测器检测的温度和目标温度之间的差值，调整进气单元与托盘之间的距离的位移装置；

其托盘温度的调节方法包括：

获得托盘或托盘上衬底的温度；

将所述托盘或托盘上的衬底的温度与目标温度相比较，若所述托盘或托盘上的衬底的温度低于目标温度，则增大所述托盘与进气单元之间的距离，以减少所述进气单元的冷却单元从托盘吸收的热量；若所述托盘或托盘上的衬底的温度高于目标温度，则减小所述托盘与进气单元之间的距离，以增大所述进气单元的冷却单元从托盘吸收的热量；若所述托盘或托盘上的衬底的温度与目标温度相同，则维持所述托盘与进气单元之间的距离不变。

8.如权利要求7所述的调节方法，其特征在于，所述反应腔室为MOCVD反应腔室，所述托盘或托盘上衬底的温度通过温度探测器获得。

9.如权利要求8所述的调节方法，其特征在于，所述温度探测器热电偶，所述热电偶通过测试获得或对该托盘或托盘上衬底的吸收光谱特性曲线测试获得。

10.如权利要求7所述的调节方法，其特征在于，通过移动所述进气单元在反应腔室中的位置，调整所述托盘与进气单元之间的距离。

11.如权利要求7所述的调节方法，其特征在于，通过移动所述托盘在反应腔室中的位置，调整所述托盘与进气单元之间的距离。