[发明专利]抵抗同频干扰的声表面波传感器无效
| 申请号： | 201310338224.9 | 申请日： | 2013-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN103398773A | 公开（公告）日： | 2013-11-20 |
| 发明（设计）人： | 高翔;陈卓辉;刘文 | 申请（专利权）人： | 常州智梭传感科技有限公司 |
| 主分类号： | G01H11/08 | 分类号： | G01H11/08 |
| 代理公司： | 常州市天龙专利事务所有限公司 32105 | 代理人： | 周建观 |
| 地址： | 213164 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 抵抗 干扰 表面波 传感器 | ||
1.一种抵抗同频干扰的声表面波传感器，其特征在于：
a、包括压电基底（1）和多个声表面波谐振器（2）；
b、所述多个声表面波谐振器（2）并联且相互平行地设在压电基底（1）上；
c、所述多个声表面波谐振器（2）的谐振频率各不相同，且多个声表面波谐振器（2）之间的频率差控制在1KHz～1000KHz的范围内；
d、所述多个声表面波谐振器（2）为3个或3个以上。
2.根据权利要求1所述的抵抗同频干扰的声表面波传感器，其特征在于：还包括互相密封连接的壳体（3）和壳盖（4），所述压电基底（1）和多个声表面波谐振器（2）均设在壳体（3）内。
3.根据权利要求1或2所述的抵抗同频干扰的声表面波传感器，其特征在于：所述压电基底（1）是压电晶片，且压电晶片是石英，或者是铌酸锂，或者是钽酸锂。
4.根据权利要求1或2所述的抵抗同频干扰的声表面波传感器，其特征在于：所述压电基底（1）包括压电薄膜（5）和衬底（6），且压电薄膜（5）设在衬底（6）的上表面，而多个声表面波谐振器（2）设在压电薄膜（5）上。
5.根据权利要求1或2所述的抵抗同频干扰的声表面波传感器，其特征在于：所述压电基底（1）是压电陶瓷，且压电陶瓷是锆钛酸铅，或者是钛酸钡，或者是钛酸铅。
6.根据权利要求4所述的抵抗同频干扰的声表面波传感器，其特征在于：所述压电薄膜（5）是氧化锌或者是氮化铝，所述衬底（6）是石英或者是金刚石。
7.根据权利要求2所述的抵抗同频干扰的声表面波传感器，其特征在于：所述壳体（3）和壳盖（4）分别是金属壳体和金属壳盖，或者分别是陶瓷壳体和金属壳盖。
8.根据权利要求1所述的抵抗同频干扰的声表面波传感器，其特征在于：所述多个声表面波谐振器（2）之间的频率差可以相同，或者是不同。
9.根据权利要求4所述的抵抗同频干扰的声表面波传感器，其特征在于：所述压电薄膜（5）的厚度控制在1000-10000埃范围内。
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