[发明专利]改善栅极侧墙间隔氮化物厚度均匀度的方法在审
| 申请号： | 201310339221.7 | 申请日： | 2013-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN103426741A | 公开（公告）日： | 2013-12-04 |
| 发明（设计）人： | 江润峰;戴树刚 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/283 | 分类号： | H01L21/283 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 竺路玲 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 改善 栅极 间隔 氮化物 厚度 均匀 方法 | ||
1.一种改善栅极侧墙间隔氮化物厚度均匀度的方法，应用于栅极工艺中的多晶硅刻蚀后形成的半导体结构中，所述半导体结构包括栅氧层和覆盖于所述栅氧层上的多晶硅栅极，其特征在于，所述方法包括：
采用原子层气相沉积工艺于所述半导体结构的表面制备所述半导体结构的侧墙间隔氮化物。
2.如权利要求1所述的改善栅极侧墙间隔氮化物厚度均匀度的方法，其特征在于，所述氮化物为氮化硅。
3.如权利要求2所述的改善栅极侧墙间隔氮化物厚度均匀度的方法，其特征在于，所述方法还包括：
提供一炉管；
将所述半导体结构置于所述炉管中；
在所述炉管中依次通入NH3气体、N2气体、DCS气体、N2气体，以在所述半导体结构的表面形成一层氮化硅薄膜。
4.如权利要求3所述的改善栅极侧墙间隔氮化物厚度均匀度的方法，其特征在于，所述炉管中的环境温度为450～550℃。
5.如权利要求3所述的改善栅极侧墙间隔氮化物厚度均匀度的方法，其特征在于，将所述依次通入NH3气体、N2气体、DCS气体、N2气体的工艺设定为一个工艺周期。
6.如权利要求5所述的改善栅极侧墙间隔氮化物厚度均匀度的方法，其特征在于，通过调节所述工艺周期的数量来控制所述氮化硅薄膜的厚度。
7.如权利要求5所述的改善栅极侧墙间隔氮化物厚度均匀度的方法，其特征在于，当所述栅极为若干个时，根据该若干个栅极之间的密度和深宽比，通过调节所述工艺周期的时间长短，以提高所述氮化硅薄膜的台阶覆盖率。
8.如权利要求3所述的改善栅极侧墙间隔氮化物厚度均匀度的方法，其特征在于，所述炉管中设置有至少两个多孔特气管路，两个所述特气管路分别输送所述NH3气体与所述DCS气体进入炉管内。
9.如权利要求8所述的改善栅极侧墙间隔氮化物厚度均匀度的方法，其特征在于，所述多孔特气管路上设置有若干间距相等的气孔，若干个所述气孔均位于同一直线上。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
