[发明专利]MEMS传声器有效
申请号: | 201310339367.1 | 申请日: | 2008-03-14 |
公开(公告)号: | CN103399675A | 公开(公告)日: | 2013-11-20 |
发明(设计)人: | N.艾特曼;R.赖夫;N.克德姆 | 申请(专利权)人: | 高通股份有限公司 |
主分类号: | G06F3/043 | 分类号: | G06F3/043 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 郑冀之;汤春龙 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | mems 传声器 | ||
1.一种MEMS传声器,包括:
壳体,具有基本上实心的正面和基本上实心的背面,和侧面;
具有MEMS膜的底座,该底座安装在正面的声学端口的上方,MEMS膜背对正面;
底座内部的空的空间,超声波穿过该空的空间以到达MEMS膜,该空的空间的尺寸低于对于感兴趣的超声波在空气中的波长;以及
包含在背面的PCB盘,其用于将传声器安装在接收器中。
2.根据前述任一权利要求所述的MEMS传声器,其中该正面包括印刷电路板。
3.根据前述任一权利要求所述的MEMS传声器,其中该背面包括印刷电路板。
4.根据前述任一权利要求所述的MEMS传声器,其中该空的空间不会对感兴趣的频率形成共振腔。
5.根据前述任一权利要求所述的MEMS传声器,进一步包括安装在所述正面的放大器。
6.根据前述任一权利要求所述的MEMS传声器,其中所述正面基本上实心,除了声学端口。
7.根据前述任一权利要求所述的MEMS传声器,其中所述PCB盘包括位于所述背面的角的附近的四个PCB盘。
8.根据前述任一权利要求所述的MEMS传声器,其中存在大于25kHz的第一频率,在所述第一频率,所述传声器的灵敏度大于-60dB,0dB的定义为1伏特/每帕斯卡。
9.根据权利要求9所述的MEMS传声器,其中所述第一频率大于70kHz。
10.根据权利要求8-9中任一权利要求所述的MEMS传声器,其中所述第一频率时的灵敏度大于-40dB。
11.根据权利要求8-10中任一权利要求所述的MEMS传声器,其中所述第一频率时的灵敏度比20kHz时所述传声器的灵敏度低不到40dB。
12.根据权利要求8-11中任一权利要求所述的MEMS传声器,其中所述第一频率时的灵敏度比在20kHz和所述第一频率之间的频率的灵敏度的最大值低不到40dB。
13.根据权利要求8-12中任一权利要求所述的MEMS传声器,其中在20kHz和所述第一频率之间的某处,在至少40kHz内,灵敏度变化不超过6dB。
14.根据前述权利要求中任一权利要求所述的MEMS传声器,其中对于大于20kHz的灵敏度在最灵敏频率的40dB内的操作频率范围,对于所述声学端口前面的方向,所述传声器的方向灵敏度变化不超过30dB。
15.根据前述权利要求中任一权利要求所述的MEMS传声器,其中所述壳体包括平坦面,所述底座安装在所述平坦面上,所述MEMS膜的中心在所述壳体的最大直径的10%以内与所述平坦面的中心对准。
16.根据前述权利要求中任一权利要求所述的MEMS传声器,其最大尺寸小于7mm。
17.根据前述权利要求中任一权利要求所述的MEMS传声器,其中所述壳体不具有包括边长为2mm的立方体的内部空体积。
18.根据权利要求17所述的MEMS传声器,其中所述壳体不具有包括边长为1.5mm的立方体的内部空体积。
19.根据权利要求18所述的MEMS传声器,其中所述壳体不具有包括边长为1mm的立方体的内部空体积。
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