[发明专利]一种有机电致发光器件及其制备方法无效
申请号: | 201310339553.5 | 申请日: | 2013-08-06 |
公开(公告)号: | CN104347801A | 公开(公告)日: | 2015-02-11 |
发明(设计)人: | 周明杰;黄辉;冯小明;王平 | 申请(专利权)人: | 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/52;H01L51/54;H01L51/56 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 何平 |
地址: | 518100 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 有机 电致发光 器件 及其 制备 方法 | ||
技术领域
本发明涉及有机电致发光器件领域,特别是涉及一种发光效率高的有机电致发光器件及其制备方法。
背景技术
在传统的发光器件中,器件内部的光只有18%左右是可以发射到外部去的,而其他的部分会以其他形式消耗在器件外部,界面之间存在折射率的差(如玻璃与铟锡氧化物之间的折射率之差,玻璃折射率为1.5,铟锡氧化物折射率为1.8,光从铟锡氧化物到达玻璃,就会发生全反射),引起了全反射的损失,从而导致整体出光性能较低。
发明内容
基于此,有必要提供一种发光效率高的有机电致发光器件及其制备方法。
一种有机电致发光器件,包括依次层叠的导电阳极玻璃基底、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极,所述阴极包括层叠于所述电子注入层上的金属层和层叠于所述金属层上的三元掺杂层;所述金属层的材料为功函数-2.0~-3.5eV的金属;所述三元掺杂层由质量比为3:2:1~15:5:1的铼的氧化物、噻吩类小分子及钠盐组成。
在其中一个实施例中,所述金属为镁、锶、钙或镱;所述铼的氧化物为七氧化二铼、二氧化铼、三氧化铼或三氧化二铼;所述噻吩类小分子为3-甲基噻吩、3-己基噻吩、3-辛基噻吩或3-十二烷基噻吩;所述钠盐为碳酸钠、氟化钠、氯化钠或溴化钠。
在其中一个实施例中,所述金属层厚度为80~300纳米;所述三元掺杂层的厚度为20~250纳米。
在其中一个实施例中,所述导电阳极玻璃基底的材料为铟锡氧化物、铝锌氧化物或铟锌氧化物;所述空穴注入层的材料选自三氧化钼、三氧化钨及五氧化二钒中的至少一种;所述空穴传输层的材料选自1,1-二[4-[N,N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷、4,4′,4″-三(咔唑-9-基)三苯胺及N,N’-(1-萘基)-N,N’-二苯基-4,4’-联苯二胺中的至少一种;所述发光层的材料选自4-(二腈甲基)-2-丁基-6-(1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃、9,10-二-β-亚萘基蒽、4,4′-双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1′-联苯及8-羟基喹啉铝中的至少一种;所述电子传输层的材料选自4,7-二苯基-1,10-菲罗啉、1,2,4-三唑衍生物及N-芳基苯并咪唑中的至少一种;所述电子注入层的材料选自碳酸铯、氟化铯、叠氮铯及氟化锂中的至少一种。
在其中一个实施例中,所述空穴注入层厚度为20~80纳米;所述空穴传输层厚度为20~60纳米;所述发光层厚度为5~40纳米;所述电子传输层厚度为40~300纳米;所述电子注入层厚度为0.5~10纳米。
一种有机电致发光器件的制备方法,包括如下步骤:
在导电阳极玻璃基底上依次蒸镀制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层及电子注入层;
在所述电子注入层表面蒸镀制备阴极,得到有机电致发光器件,所述阴极包括层叠于所述电子注入层上的金属层和层叠于所述金属层上的三元掺杂层,所述金属层为功函数-2.0~-3.5eV的金属,所述三元掺杂层由质量比为3:2:1~15:5:1的铼的氧化物、噻吩类小分子及钠盐组成。
在其中一个实施例中,在导电阳极玻璃基底上蒸镀制备空穴注入层之前,还包括对导电阳极玻璃基底进行清洗的步骤;所述清洗的步骤为:将导电阳极玻璃基底依次采用洗洁精、去离子水、丙酮、乙醇及异丙醇超声清洗,然后干燥,去除玻璃基底表面的有机污染物。
在其中一个实施例中,所述金属为镁、锶、钙或镱;所述铼的氧化物为七氧化二铼、二氧化铼、三氧化铼或三氧化二铼;所述噻吩类小分子为3-甲基噻吩、3-己基噻吩、3-辛基噻吩或3-十二烷基噻吩;所述钠盐为碳酸钠、氟化钠、氯化钠或溴化钠。
在其中一个实施例中,所述金属层厚度为80~300纳米;所述三元掺杂层的厚度为20~250纳米。
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