[发明专利]有机电致发光器件及其制备方法无效

专利信息
申请号: 201310339574.7 申请日: 2013-08-06
公开(公告)号: CN104347821A 公开(公告)日: 2015-02-11
发明(设计)人: 周明杰;黄辉;冯小明;王平 申请(专利权)人: 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
主分类号: H01L51/54 分类号: H01L51/54;H01L51/56
代理公司: 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 代理人: 生启;何平
地址: 518100 广东省深*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 有机 电致发光 器件 及其 制备 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种有机电致发光器件及其制备方法。

背景技术

有机电致发光器件的发光原理是基于在外加电场的作用下,电子从阴极注入到有机物的最低未占有分子轨道(LUMO),而空穴从阳极注入到有机物的最高占有轨道(HOMO)。电子和空穴在发光层相遇、复合、形成激子,激子在电场作用下迁移,将能量传递给发光材料,并激发电子从基态跃迁到激发态,激发态能量通过辐射失活,产生光子,释放光能。传统的有机电致发光器件的发光效率较低。

发明内容

基于此,有必要提供一种出光效率较高的有机电致发光器件及其制备方法。

一种有机电致发光器件,包括依次层叠的阳极基底、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层及阴极,所述阴极包括层叠于所述电子注入层表面的三元掺杂层及层叠于所述三元掺杂层表面的金属掺杂层;所述三元掺杂层的材料包括铼的氧化物、掺杂在所述铼的氧化物中的钝化材料及酞菁化合物,所述钝化材料选自二氧化硅、氧化铝、氧化镍及氧化铜中的至少一种,所述铼的氧化物、所述钝化材料及所述酞菁化合物的质量比为5:2:1~20:4:1;所述金属掺杂层的材料包括低功函数金属及掺杂在所述低功函数金属中的高功函数金属,所述低功函数金属的功函数为-2.0eV~-3.5eV,所述高功函数金属的功函数为-4.0~-5.5eV,所述低功函数金属与所述高功函数金属的质量比为5:1~40:1。

在其中一个实施例中,所述三元掺杂层的厚度为50nm~200nm;所述金属掺杂层的厚度为100nm~400nm。

在其中一个实施例中,所述铼的氧化物选自七氧化二铼、二氧化铼、三氧化铼及三氧化二铼中的至少一种,所述酞菁化合物选自酞菁铜、酞菁锌、酞菁镁及酞菁钒中的至少一种。

在其中一个实施例中,所述低功函数金属选自镁、锶、钙及镱中的至少一种,所述高功函数金属选自银、铝、铂及金中的至少一种。

在其中一个实施例中,所述发光层的材料选自4-(二腈甲基)-2-丁基-6-(1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃、9,10-二-β-亚萘基蒽、4,4'-双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-联苯及8-羟基喹啉铝中的至少一种。

一种有机电致发光器件的制备方法,包括以下步骤:

在阳极基底的表面依次蒸镀制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层及电子注入层;及

在所述电子注入层表面蒸镀制备阴极,所述阴极包括层叠于所述电子注入层表面的三元掺杂层及层叠于所述三元掺杂层表面的金属掺杂层,所述三元掺杂层的材料包括铼的氧化物、掺杂在所述铼的氧化物中的钝化材料及酞菁化合物,所述钝化材料选自二氧化硅、氧化铝、氧化镍及氧化铜中的至少一种,所述铼的氧化物、所述钝化材料及所述酞菁化合物的质量比为5:2:1~20:4:1,所述金属掺杂层的材料包括低功函数金属及掺杂在所述低功函数金属中的高功函数金属,所述低功函数金属的功函数为-2.0eV~-3.5eV,所述高功函数金属的功函数为-4.0~-5.5eV,所述低功函数金属与所述高功函数金属的质量比为5:1~40:1。

在其中一个实施例中,所述三元掺杂层的厚度为50nm~200nm;所述金属掺杂层的厚度为100nm~400nm。

在其中一个实施例中,所述铼的氧化物选自七氧化二铼、二氧化铼、三氧化铼及三氧化二铼中的至少一种,所述酞菁化合物选自酞菁铜、酞菁锌、酞菁镁及酞菁钒中的至少一种。

在其中一个实施例中,所述低功函数金属选自镁、锶、钙及镱中的至少一种,所述高功函数金属选自银、铝、铂及金中的至少一种。

在其中一个实施例中,所述阳极基底在使用前先进行预处理,对阳极基底预处理为:将阳极基底先进行光刻处理,剪裁成所需要的大小后,依次采用洗洁精、去离子水、丙酮、乙醇、异丙酮各超声波清洗15min,以去除阳极基底表面的有机污染物。

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