[发明专利]有机电致发光器件及其制备方法无效

专利信息
申请号: 201310339583.6 申请日: 2013-08-06
公开(公告)号: CN104347802A 公开(公告)日: 2015-02-11
发明(设计)人: 周明杰;黄辉;冯小明;王平 申请(专利权)人: 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
主分类号: H01L51/50 分类号: H01L51/50;H01L51/52;H01L51/54;H01L51/56
代理公司: 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 代理人: 生启;何平
地址: 518100 广东省深*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 有机 电致发光 器件 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种有机电致发光器件,其特征在于,包括依次层叠的阳极基底、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层及阴极,所述阴极包括层叠于所述电子注入层表面的金属掺杂层、层叠于所述金属掺杂层表面的铼的氧化物掺杂层及层叠于所述铼的氧化物掺杂层表面的金属层;所述金属掺杂层的材料包括低功函数金属及掺杂在所述低功函数金属中的钝化材料,所述钝化材料选自二氧化硅、氧化铝、氧化镍及氧化铜中的至少一种,所述低功函数金属的功函数为-2.0eV~-3.5eV,所述低功函数金属与所述钝化材料的质量比为5:1~30:1;所述铼的氧化物掺杂层的材料包括铼的氧化物及掺杂在所述铼的氧化物中的所述钝化材料,所述铼的氧化物与所述钝化材料的质量比为2:1~10:1;所述金属层的材料为功函数为-4.0~-5.5eV的金属。

2.根据权利要求1所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述金属掺杂层的厚度为30nm~100nm;所述铼的氧化物掺杂层的厚度为5nm~30nm;所述金属层的厚度为100nm~300nm。

3.根据权利要求1所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述低功函数金属选自镁、锶、钙及镱中的至少一种。

4.根据权利要求1所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述金属层的材料选自银、铝、铂及金中的至少一种。

5.根据权利要求1所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述铼的氧化物选自七氧化二铼、二氧化铼、三氧化铼及三氧化二铼中的至少一种。

6.一种有机电致发光器件的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

在阳极基底的表面依次蒸镀制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层及电子注入层;及

在所述电子注入层的表面蒸镀制备阴极,所述阴极包括层叠于所述电子注入层表面的金属掺杂层、层叠于所述金属掺杂层表面的铼的氧化物掺杂层及层叠于所述铼的氧化物掺杂层表面的金属层,所述金属掺杂层的材料包括低功函数金属及掺杂在所述低功函数金属中的钝化材料,所述钝化材料选自二氧化硅、氧化铝、氧化镍及氧化铜中的至少一种,所述低功函数金属的功函数为-2.0eV~-3.5eV,所述低功函数金属与所述钝化材料的质量比为5:1~30:1,所述铼的氧化物掺杂层的材料包括铼的氧化物及掺杂在所述铼的氧化物中的所述钝化材料,所述铼的氧化物与所述钝化材料的质量比为2:1~10:1;所述金属层的材料为功函数为-4.0~-5.5eV的金属。

7.根据权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法,其特征在于:所述金属掺杂层的厚度为30nm~100nm;所述铼的氧化物掺杂层的厚度为5nm~30nm;所述金属层的厚度为100nm~300nm。

8.根据权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法,其特征在于:所述低功函数金属选自镁、锶、钙及镱中的至少一种。

9.根据权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法,其特征在于:所述金属层的材料选自银、铝、铂及金中的至少一种。

10.根据权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法,其特征在于:所述铼的氧化物选自七氧化二铼、二氧化铼、三氧化铼及三氧化二铼中的至少一种。

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