[发明专利]有机电致发光器件及其制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及电致发光技术领域，特别是涉及一种有机电致发光器件及其制备方法。

背景技术

在传统的有机电致发光器件中，为了使阴极与有机材料的LUMO能级匹配，一般要求阴极的功函数尽量的低，若功函数太低，则证明金属容易失去电子，非常活泼，稳定性较差。因此，在有机电致发光领域，一般采用Ag或Al等功函数适中的金属作为阴极，一方面，这些材料的功函值较低，为4.5eV左右，性质较稳定，但是，其与有机材料之间仍然有1.5eV的势垒，这个势垒对电子的传输仍然起到很大的阻碍作用，从而影响了有机电致发光器件的发光效率。

发明内容

基于此，有必要提供一种发光效率较高的有机电致发光器件。

进一步，提供一种有机电致发光器件的制备方法。

一种有机电致发光器件，包括依次层叠的阳极导电基板、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极，其特征在于，所述阴极包括依次层叠于所述电子注入层上的第一掺杂层、第二掺杂层和金属硫化物层，其中，所述第一掺杂层的材料包括第一金属和第二金属，所述第一金属为镁、锶、钙或镱，所述第二金属为银、铝、铂或金，所述第二掺杂层的材料包括铼氧化物和结晶材料，所述铼氧化物为七氧化二铼、二氧化铼、三氧化铼或三氧化二铼，所述结晶材料为1,2,4-三唑衍生物、2,2′-(1，3-苯基)二[5-(4-叔丁基苯基)-1，3，4-恶二唑]、2，9-二甲基-4，7-联苯-1，10-邻二氮杂菲或2，8-二(二苯磷氧基)二苯并[b，d]噻吩，所述金属硫化物层的材料为硫化锌、硫化镉、硫化镁或硫化铜。

在其中一个实施例中，所述第一掺杂层的厚度为5～20纳米。

在其中一个实施例中，所述第二掺杂层的厚度为50～200纳米。

在其中一个实施例中，所述金属硫化物层的厚度为200～400纳米。

在其中一个实施例中，所述第一金属和第二金属的质量比为5:1～30:1。

在其中一个实施例中，所述铼氧化物和结晶材料的质量比为1:1～1:4。

在其中一个实施例中，所述空穴注入层的厚度为20～80纳米，所述空穴传输层的厚度为20～60纳米，所述发光层的厚度为5～40纳米，所述电子传输层的厚度为40～300纳米，所述电子注入层的厚度为0.5～10纳米。

一种有机电致发光器件的制备方法，包括如下步骤:

提供阳极导电基板，在所述阳极导电基板上真空蒸镀形成空穴注入层;

在所述空穴注入层上真空蒸镀形成空穴传输层;

在所述空穴传输层上真空蒸镀形成发光层;

在所述发光层上真空蒸镀形成电子传输层;

在所述电子传输层上真空蒸镀形成电子注入层;

在所述电子注入层上热阻蒸镀形成第一掺杂层;

在所述第一掺杂层上热阻蒸镀形成第二掺杂层;

在所述第一掺杂层上热阻蒸镀形成金属硫化物层，所述第一掺杂层、第二掺杂层和金属硫化层依次层叠形成阴极，得到有机电致发光器件，其中，所述第一掺杂层的材料包括第一金属和第二金属，所述第一金属为镁、锶、钙或镱，所述第二金属为银、铝、铂或金，所述第二掺杂层的材料包括铼氧化物和结晶材料，所述铼氧化物为七氧化二铼、二氧化铼、三氧化铼或三氧化二铼，所述结晶材料为1,2,4-三唑衍生物、2,2'-(1，3-苯基)二[5-(4-叔丁基苯基)-1，3，4-恶二唑]、2，9-二甲基-4，7-联苯-1，10-邻二氮杂菲或2，8-二(二苯磷氧基)二苯并[b，d]噻吩，所述金属硫化物层的材料为硫化锌、硫化镉、硫化镁或硫化铜。

在其中一个实施例中，所述真空蒸镀的速率为0.1～1纳米/秒。

在其中一个实施例中，所述热阻蒸镀的速率为1～10纳米/秒。

上述有机电致发光器件的阴极包括依次层叠的第一掺杂层、第二掺杂层和金属硫化物层，第一掺杂层提高电子的注入效率和载流子浓度，第二掺杂层提高光子利用率和电子的传输速率，并阻挡空穴穿越到阴极与电子复合淬灭，金属硫化物层提高光的反射，最终提高发光效率，使得有机电致发光器件的发光效率较高。

附图说明

图1为一实施方式的有机电致发光器件的结构示意图;

图2为一实施方式的有机电致发光器件的制备方法的流程图；

图3为实施例1和对比例1的有机电致发光器件的电流密度与流明效率的关系曲线;

图4为实施例2、3、4的有机电致发光器件的电流密度与流明效率关系曲线图。

具体实施方式