[发明专利]具有C-倍增电路的共模终端有效

专利信息
申请号: 201310339983.7 申请日: 2013-08-06
公开(公告)号: CN103580636A 公开(公告)日: 2014-02-12
发明(设计)人: 塔梅尔·阿里;阿里·纳齐米 申请(专利权)人: 美国博通公司
主分类号: H03H7/38 分类号: H03H7/38
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 代理人: 田喜庆
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 具有 倍增 电路 终端
【说明书】:

技术领域

本公开主要涉及电气终端。

背景技术

终端电路用于防止或降低通过传输线路从第一电路传输到第二电路的信号的反射。具体而言,终端电路确保第一电路的输出阻抗与终端电路和第二电路的组合输入阻抗匹配。这种阻抗匹配确保了从第一电路到第二电路的最大或接近最大的功率传输。在其他的匹配形式中,终端电路可用于确保从第一电路至第二电路的最大电压或电流传输。

发明内容

根据本发明的一个方面,提供了一种具有第一输入端和第二输入端的输入终端电路,包括:第一阻抗,具有耦接至所述第一输入端的第一端以及耦接至所述输入终端电路的共模节点的第二端;第二阻抗,具有耦接至第二输入端的第一端以及耦接至所述共模节点的第二端;以及电容倍增电路,耦接至所述共模节点,被配置为将所述共模节点处的交流(AC)电压设置为0或接近于0。

其中,所述电容倍增电路包括:电容器,具有第一端和第二端,所述第一端耦接至所述共模节点;以及跨导级,耦接在所述电容器的所述第二端与接地端之间。

其中,所述跨导级包括二极管连接晶体管。

其中,所述跨导级包括NMOS晶体管和耦接在所述NMOS晶体管的漏极端和栅极端之间的放大器。

其中,所述放大器被配置为降低所述输入终端电路的输入电阻。

其中,所述电容倍增电路进一步包括:第一电流源,耦接在所述共模节点和所述接地端之间。

其中,所述第一电流源包括NMOS共源共栅级。

其中,所述跨导级和所述第一电流源形成电流镜像电路。

其中,所述跨导级被配置为吸收第一AC电流,其中,所述第一AC电流等于流过所述电容器的AC电流。

其中,所述第一电流源被配置为吸收第二AC电流,其中,所述第二AC电流等于所述第一AC电流的整数倍。

其中,所述电容倍增电路进一步包括:第二电流源,耦接在电源电压端和所述电容器的所述第一端之间;以及第三电流源,耦接在所述电源电压端和所述电容器的所述第二端之间。

其中,所述电容倍增电路包括:电容器,具有第一端和第二端,所述第一端耦接至所述共模节点;以及PMOS级,耦接至所述电容器;以及NMOS级,耦接至所述电容器。

其中,所述PMOS级被配置为吸收0或接近于0的AC电流。

其中,所述NMOS级被配置为吸收第一AC电流,其中,所述第一AC电流基本上等于流过所述电容器的AC电流的倍数。

根据本发明的另一个方面,提供了一种装置,包括:第一电路;第二电路;以及输入终端电路,耦接在所述第一电路和所述第二电路之间,其中,所述输入终端电路包括:第一阻抗,具有耦接至所述输入终端电路的第一输入端的第一端和耦接至所述输入终端电路的共模节点的第二端;第二阻抗,具有耦接至所述输入终端电路的第二输入端的第一端和耦接至所述共模节点的第二端;以及电容倍增电路,耦接至所述共模节点。

其中,所述电容倍增电路被配置为将所述输入终端电路的所述共模节点处的交流电AC电压设置为0或接近于0。

其中,所述输入终端电路的所述第一输入端和所述第二输入端被配置为从所述第一电路接收差分输入信号。

其中,所述输入终端电路被配置为终止所述差分输入信号的共模信号。

其中,所述输入终端电路被配置为提供所述第一电路和所述第二电路之间差分阻抗匹配。

其中,所述第一电路包括无线天线和光收发机中的一个,其中,所述第二电路包括射频(RF)收发器和串行器/解串器(SERDES)模块中的一个。

附图说明

并入本说明书并组成说明书的一部分的附图,示出了本公开,并与说明书一起进一步用来说明本公开的原理,并使得相关领域的技术人员能够实施和使用本公开。

图1是示出了电气终端的实例。

图2示出了常规的输入终端电路。

图3示出了根据本公开实施方式的示例性输入终端电路。

图4示出了根据本公开实施方式的示例性输入终端电路。

将参考附图来描述本公开。通常,部件首先出现的示图一般由相应的参考数字中最左边的数字表示。

具体实施方式

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