[发明专利]放电加工工艺、用于放电加工的物件及放电冷却剂无效
申请号: | 201310340556.0 | 申请日: | 2013-08-07 |
公开(公告)号: | CN103567578A | 公开(公告)日: | 2014-02-12 |
发明(设计)人: | 冯干江;J.C.谢菲尔;M.D.阿内特;刘山 | 申请(专利权)人: | 通用电气公司 |
主分类号: | B23H1/00 | 分类号: | B23H1/00 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 金飞;谭祐祥 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 放电 加工 工艺 用于 物件 冷却剂 | ||
1. 一种放电加工工艺,包含:
放电加工物件的目标区域;
其中所述目标区域位于所述物件的不导电层上,且位于所述物件的导电层和放电加工系统的电极之间。
2. 根据权利要求1所述的工艺,其特征在于,所述目标区域包括导电涂料。
3. 根据权利要求2所述的工艺,其特征在于,所述导电涂料包括选自包括导电非金属、包括石墨的胶体、导电聚合物及其组合的组的材料。
4. 根据权利要求2所述的工艺,其特征在于,还包含通过选自包括涂刷、喷涂、通过分配机构喷射及其组合的组的技术来涂覆所述导电涂料。
5. 根据权利要求1所述的工艺,其特征在于,所述电极是单个电极的组合体,配置成在单次工艺中加工多个特征部。
6. 根据权利要求1所述的工艺,其特征在于,所述目标区域位于导电的放电加工冷却剂内。
7. 根据权利要求6所述的工艺,其特征在于,所述导电的放电加工冷却剂包括悬浮在碳氢化合物液体内的碳粉。
8. 根据权利要求7所述的工艺,其特征在于,所述碳粉处于在大约0.01 g/cm3 和大约 0.05 g/cm3之间的浓度。
9. 根据权利要求1所述的工艺,其特征在于,所述不导电层是热障涂层。
10. 根据权利要求1所述的工艺,其特征在于,所述工艺是一步骤工艺,其没有掩蔽和涂层、激光钻孔以及喷射水流工艺。
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