[发明专利]射频功率放大器的功率控制电路

权利要求书

1.一种射频功率放大器的功率控制电路，其特征在于，由控制环路和电流电压转换器构成。

2.根据权利要求1所述的射频功率放大器的功率控制电路，其特征在于，所述的控制环路的第一输入端口经所述的电流电压转换器接所述的射频功率放大器的末级功率放大管（Q3）的基级，所述的控制环路的第二输入端口接控制电压（vramp），所述的控制环路的输出端接所述的末级功率放大管（Q3）的基级连接。

3.根据权利要求1所述的射频功率放大器的功率控制电路，其特征在于，所述的控制环路的第一输入端口接所述的射频功率放大器的末级功率放大管（Q3）的基级，所述的控制环路的第一输入端口经所述的电流电压转换器接控制电压（vramp），所述的控制环路的输出端接所述的末级功率放大管（Q3）的基级连接。

4.根据权利要求2所述的射频功率放大器的功率控制电路，其特征在于，该功率控制电路包括第4功率放大管（Q4）、第1Mos场效应晶体管（M1）、第2Mos场效应晶体管（M2）、第3Mos场效应晶体管（M3）、第4电阻（R4）、第5电阻（R5）和第4电容（C4），上述元部件的连接关系如下：

所述的第4功率放大管（Q4）是所述的射频功率放大器的末级功率放大管（Q3）的镜像器件，所述的第4功率放大管（Q4）的基极和末级功率放大管（Q3）的基极相连，第4功率放大管（Q4）的发射极和末级功率放大管（Q3）的发射极相连，所述的第4功率放大管（Q4）的集电极和第1Mos场效应晶体管（M1）的漏极相连，该第1Mos场效应晶体管（M1）和第2Mos场效应晶体管（M2）为镜像电流源，第1Mos场效应晶体管（M1）的栅极和第2Mos场效应晶体管（M2）的栅极相连，第1Mos场效应晶体管（M1）的栅极和其漏极相连，第2Mos场效应晶体管（M2）的漏极接第4电阻（R4）作为电流电压转换器，第2Mos场效应晶体管（M2）的漏极和第4电阻（R4）的节点与放大器（A）的正向输入端相连，该放大器（A）的反向输入端与控制电压（vramp）相连，该放大器（A）的输出端接第3Mos场效应晶体管（M3）的栅极，该第3Mos场效应晶体管（M3）的栅极经第5电阻（R5）、第4电容（C4）接第3Mos场效应晶体管（M3）的漏极，该漏极经所述的射频功率放大器的末级电阻（R3）接第4功率放大管（Q4）的基级，所述的第1Mos场效应晶体管（M1）、第2Mos场效应晶体管（M2）和第3Mos场效应晶体管（M3）的源极接电源。