[发明专利]一种用于制备金属/介质纳米多层膜高质量断面的方法

权利要求书

1.一种用于制备金属/介质纳米多层膜高质量断面的方法，其特征在于以下步骤：

步骤1：在洁净的基底表面制备平面或曲面金属/介质纳米多层膜；

步骤2：在多层膜上旋涂光刻胶，前烘，得到样片；

步骤3：用玻璃刀在样片背面划痕，掰断，得到金属/介质纳米多层膜粗糙断面；

步骤4：在断口边缘小于100μm处进行掩模移动曝光；

步骤5：显影、坚膜，得到截面边缘平整的光刻胶掩蔽层；

步骤6：坚膜后的样片放入离子束刻蚀设备中，选择合适的离子束流和角度进行刻蚀；

步骤7：离子束刻蚀完成后，取出样片，去除样片上剩余的光刻胶，金属/介质纳米多层膜高质量断面制作完成。

2.根据权利要求1所述的一种用于制备金属/介质纳米多层膜高质量断面的方法，其特征在于：所述步骤1中的金属/介质纳米多层膜，可以是平面，也可以是曲面；金属可为Ag、Al等，介质可以为SiO₂或SiC；每层膜厚10-50nm。

3.根据权利要求1所述的一种用于制备金属/介质纳米多层膜高质量断面的方法，其特征在于：所述步骤2光刻胶为正性光刻胶，胶厚0.5～2um，光刻胶型号为AR-P3100或其它类似光刻胶。

4.根据权利要求1所述的一种用于制备金属/介质纳米多层膜高质量断面的方法，其特征在于：所述步骤3中样片先用玻璃刀在背面划一下，再用手掰开，目的是得到均匀光刻胶截面，避免光刻胶的边胶不均匀对刻蚀传递带来不利的影响。

5.根据权利要求1所述的一种用于制备金属/介质纳米多层膜高质量断面的方法，其特征在于：所述步骤4中只对多层膜断口处100um以内的边缘进行曝光，采用掩模移动的模式曝光，以便得到边缘平滑、陡直的光刻胶掩蔽层。

6.根据权利要求1所述的一种用于制备金属/介质纳米多层膜高质量断面的方法，其特征在于：所述步骤5中坚膜温度不低于120℃，时间10-30min，若坚膜温度不够，所刻多层膜断面易出现毛刺状物质。

7.根据权利要求1所述的一种用于制备金属/介质纳米多层膜高质量断面的方法，其特征在于：所述步骤6中离子束刻蚀束流不超过60mA，束流与样片法线的夹角25～30°，连续刻蚀时间最好不超过5min。

8.根据权利要求1所述的一种用于制备金属/介质纳米多层膜高质量断面的方法，其特征在于：所述步骤7中可以用丙酮浸泡去除剩余的光刻胶，或反应离子束刻蚀剩余的光刻胶，氧气作为反应气体。