[发明专利]一种半导体器件的制造方法在审
| 申请号： | 201310340764.0 | 申请日： | 2013-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN104347487A | 公开（公告）日： | 2015-02-11 |
| 发明（设计）人： | 赵简;曹轶宾 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件的制造方法，包括：
提供半导体衬底，在所述半导体衬底上依次形成蚀刻停止层、低k介电层、缓冲层和金属硬掩膜层；
对所述金属硬掩膜层实施热处理，以增强所述金属硬掩膜层的抗侵蚀性。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述热处理的方式包括除气或者炉管退火。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述除气的实施时间为1-5min，温度为200-400℃。
4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述炉管退火的实施时间为10-60min，温度为200-400℃。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述热处理之后，还包括以下步骤：在所述金属硬掩膜层中形成第一开口，以露出缓冲层；在所述缓冲层和所述低k介电层中形成第二开口；在所述低k介电层中形成铜金属互连结构；在所述铜金属互连结构中形成铜金属层。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述第一开口用作所述铜金属互连结构中的沟槽的图案，所述第二开口用作所述铜金属互连结构中的通孔的图案。
7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，以所述金属硬掩膜层为掩膜，同步蚀刻所述缓冲层和所述低k介电层，以在所述低k介电层中形成所述铜金属互连结构。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，在所述蚀刻结束之后，还包括去除通过所述铜金属互连结构露出的蚀刻停止层以及实施蚀刻后处理的步骤。
9.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，形成所述铜金属层之前，还包括在所述铜金属互连结构的底部和侧壁上依次形成铜金属扩散阻挡层和铜金属种子层的步骤。
10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述缓冲层由自下而上层叠的八甲基环化四硅氧烷层和正硅酸乙酯层构成。
11.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述金属硬掩膜层的构成材料为TiN、BN、AlN或者其组合。
12.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，在形成所述第一开口之前，还包括在所述金属硬掩膜层上形成氧化物硬掩膜层的步骤。
13.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，所述氧化物硬掩膜层的构成材料包括SiO2或SiON，且相对于所述金属硬掩膜层的构成材料具有较好的蚀刻选择比。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310340764.0/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
