[发明专利]基于高阻材料的电场传感器封装元件

权利要求书

1.一种基于高阻材料的电场传感器封装元件，包括：

基板；

第一封装框，固定于所述基板；以及

第一封装盖，固定于所述封装框；

至少一个电场传感器芯片位于所述基板、第一封装框和第一封装盖形成的内腔内；

其中，所述基板、第一封装框第一封装盖中的至少一种是电阻率大于或等于10⁸Ω·cm的高阻值材料。

2.根据权利要求1所述的基于高阻材料的电场传感器封装元件，其特征在于，所述高阻值材料选自于以下材料中的一种：陶瓷、蓝宝石、有机高分子聚合物或二氧化硅。

3.根据权利要求1所述的基于高阻材料的电场传感器封装元件，其特征在于，所述第一封装盖为平面结构的圆形、方形，或向基板方向弯折预设距离的圆形、方形，或朝向基板方向开口的半球形。

4.根据权利要求3所述的基于高阻材料的电场传感器封装元件，其特征在于，所述第一封装盖呈朝向基板方向开口的半球形，该半球形封装盖向外侧延长预设距离，从而覆盖住所述的封装框。

5.根据权利要求1所述的基于高阻材料的电场传感器封装元件，其特征在于，当第一封装框和第一封装盖采用相同材料时，所述第一封装框和第一封装盖为一体加工的凹形空腔。

6.根据权利要求1所述的基于高阻材料的电场传感器封装元件，其特征在于，所述第一封装盖与第一封装框对应的材料组合为：高阻值材料-高阻值材料、高阻值材料-金属材料、金属材料-高阻值材料。

7.根据权利要求1所述的基于高阻材料的电场传感器封装元件，其特征在于，所述第一封装盖在平行于所述基板的方向上向外侧延长预设距离，并向基板方向弯折。

8.根据权利要求1所述的基于高阻材料的电场传感器封装元件，其特征在于，所述第一封装盖由包括上层和下层的两种材料构成。

9.根据权利要求8所述的基于高阻材料的电场传感器封装元件，其特征在于，所述第一封装框、封装盖下层、封装盖上层对应的材料组合为：高阻值材料-高阻值材料-高阻值材料、高阻值材料-高阻值材料-金属材料、高阻值材料-金属材料-高阻值材料、高阻值材料-金属材料-金属材料、金属材料-高阻值材料-高阻值材料，或金属材料-高阻值材料-金属材料。

10.根据权利要求8所述的基于高阻材料的电场传感器封装元件，其特征在于，所述封装盖上层在平行于所述基板的方向上向外侧延长预设距离，并向基板方向弯折，封装盖下层在平行于所述基板的方向上向外侧延长预设距离，延伸的距离不大于装盖上层延长的距离。

11.根据权利要求1所述的基于高阻材料的电场传感器封装元件，其特征在于，所述第一封装框在垂直于基板的方向上向外侧延长一段距离，所述第一封装盖固定于所述封装框的中段。

12.根据权利要求11所述的基于高阻材料的电场传感器封装元件，其特征在于，所述第一封装框与第一封装盖对应的材料组合为：高阻值材料-金属材料、或高阻值材料-高阻值材料，或金属材料-高阻值材料。

13.根据权利要求11所述的基于高阻材料的电场传感器封装元件，其特征在于，所述第一封装盖由封装盖上层和封装盖下层构成，

所述封装盖下层固定于所述封装框的中段，所述封装盖上层在平行于基板的方向上向内缩减一段距离。

14.根据权利要求13所述的基于高阻材料的电场传感器封装元件，其特征在于，所述封装框、封装盖下层与封装盖上层的材料组合为：高阻值材料-高阻值材料-高阻值材料、高阻值材料-高阻值材料-金属材料、高阻值材料-金属材料-高阻值材料、高阻值材料-金属材料-金属材料、金属材料-高阻值材料-高阻值材料，或金属材料-高阻值材料-金属材料。

15.根据权利要求1所述的基于高阻材料的电场传感器封装元件，其特征在于所述第一封装框为圆形或方框性。

16.、根据权利要求1所述的基于高阻材料的电场传感器封装元件，其特征在于所述传感器芯片为两个或多个。

17.根据权利要求1所述的基于高阻材料的电场传感器封装元件，其特征在于，还包括：

第二封装框，固定于所述基板；以及

第二封装盖，固定于所述第二封装框；

其中：所述基板、第二封装框和第二封装盖构成的封装元件位于所述基板、第一封装框和第一封装盖构成的封装元件内。