[发明专利]压电体元件、压电体设备及其制造方法

权利要求书

1.一种压电体元件，其特征在于，是在基板上至少层叠下部电极层、由通式(Na_xK_yLi_z)NbO₃(0<X≤1、0<Y≤1、0≤Z≤0.2、x+y+z=1)表示的压电体层、以及上部电极层而得到的压电体元件，

所述压电体层具有假立方晶、正方晶、斜方晶、单斜晶或者菱面体晶的晶体结构、或者所述晶体结构共存的状态，通过电子能量损失分光测定或者X射线吸收微细结构解析而测定的、所述压电体层的膜厚方向的Na-K吸收端的能量的最大值与最小值之差为0.8eV以下。

2.根据权利要求1所述的压电体元件，其特征在于，通过所述电子能量损失分光测定或者所述X射线吸收微细结构解析而测定的、所述压电体层的膜厚方向的K-L₂吸收端和/或K-L₃吸收端的能量的最大值与最小值之差为0.8eV以下。

3.一种压电体元件，其特征在于，是在基板上至少层叠下部电极层、压电体层以及上部电极层而得到的压电体元件，

所述压电体层在至少一部分是ABO₃的结晶或非晶质、或者结晶和非晶质混合的状态，所述ABO₃由A原子、B原子中的至少一个构成，进一步通过电子能量损失分光测定或者X射线吸收微细结构解析而测定的、所述压电体层的膜厚方向的所述A原子吸收端和/或所述B原子吸收端的能量的最大值与最小值之差为0.8eV以下，

其中，A是选自Li、Na、K、La、Sr、Nd、Ba以及Bi之中的至少一个元素，B是选自Zr、Ti、Mn、Mg、Nb、Sn、Sb、Ta以及In之中的至少一个元素，O表示氧。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的压电体元件，其特征在于，所述下部电极层由单层或者层叠结构的电极层形成，进而，结晶优先取向于与所述基板的表面垂直的方向。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的压电体元件，其特征在于，所述下部电极层是由Pt或者以Pt为主要成分的合金形成的电极层、或者包含以Pt为主要成分的层的层叠结构的电极层。

6.根据权利要求1～4中任一项所述的压电体元件，其特征在于，所述下部电极层是Ru、Ir、Sn、In、或者它们的氧化物。

7.根据权利要求1～6中任一项所述的压电体元件，其特征在于，所述上部电极层是由Pt或者以Pt为主要成分的合金形成的电极层、或者包含以Pt为主要成分的层的层叠结构的电极层。

8.根据权利要求1～6中任一项所述的压电体元件，其特征在于，所述上部电极层是Ru、Ir、Sn、In、或者它们的氧化物。

9.根据权利要求1～8所述的压电体元件，其特征在于，所述基板由Si、MgO、ZnO、SrTiO₃、SrRuO₃、玻璃、石英玻璃、GaAs、GaN、蓝宝石、Ge、不锈钢中的任一种构成。

10.一种压电体设备，其特征在于，其具备权利要求1～9中任一项所述的压电体元件、连接在所述压电体元件的所述下部电极层与所述上部电极层之间的电压施加装置或者电压检测装置。

11.一种压电体元件的制造方法，其特征在于，是在基板上至少层叠下部电极层、由通式(Na_xK_yLi_z)NbO₃(0<X≤1、0<Y≤1、0≤Z≤0.2、x+y+z=1)表示的压电体层、以及上部电极层的压电体元件的制造方法，

其具有如下工序：形成假立方晶、正方晶、斜方晶、单斜晶或者菱面体晶的晶体结构、或者所述晶体结构共存的所述压电体层的工序；在形成所述压电体层之后，在真空中、非活性气体气氛中、氧气中、氧气与非活性气体的混合气体中或者大气中，进行热处理的工序；

将通过电子能量损失分光测定或者X射线吸收微细结构解析而测定的、所述压电体层的膜厚方向的Na-K吸收端的能量的最大值与最小值之差控制为0.8eV以下。