[发明专利]用于固化电介质膜的多步系统和方法无效
| 申请号： | 201310341426.9 | 申请日： | 2006-10-06 |
| 公开（公告）号： | CN103489813A | 公开（公告）日： | 2014-01-01 |
| 发明（设计）人： | 刘俊军;埃里克·M·李;多雷尔·L·托玛 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 康建峰;贾萌 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 固化 电介质 系统 方法 | ||
1.一种处理衬底上的电介质膜的方法，包括：
通过下述处理固化所述衬底上的所述电介质膜：
将所述电介质膜暴露于红外(IR)辐射，所述红外辐射包括窄波段辐射；和
将所述电介质膜暴露于紫外(UV)辐射。
2.如权利要求1的方法，其中所述将所述电介质膜暴露于紫外辐射包括将所述电介质膜暴露于由一个或更多个UV灯、或一个或更多个UV激光器、或所述UV灯和所述UV激光器二者发出的紫外辐射。
3.如权利要求1的方法，还包括：
在所述固化之后，对所述电介质膜进行以下处理中的一个或更多个：在所述电介质膜上沉积另一个膜，清洁所述电介质膜，或将所述电介质膜暴露于等离子体。
4.如权利要求1的方法，其中所述电介质膜包括所沉积的介电常数小于4的低介电常数电介质膜。
5.如权利要求1的方法，其中所述电介质膜包括所沉积的介电常数小于2.5的低介电常数电介质膜。
6.如权利要求1的方法，其中所述将所述电介质膜暴露于红外辐射和所述将所述电介质膜暴露于紫外辐射被同时执行。
7.如权利要求1的方法，其中所述将所述电介质膜暴露于红外辐射和所述将所述电介质膜暴露于紫外辐射被依次执行。
8.如权利要求1的方法，其中所述将所述电介质膜暴露于红外辐射和所述将所述电介质膜暴露于紫外辐射被彼此交错地执行。
9.如权利要求1的方法，其中所述将所述电介质膜暴露于紫外辐射包括100-600纳米的UV波长范围。
10.如权利要求1的方法，其中所述将所述电介质膜暴露于紫外辐射包括200-400纳米的UV波长范围。
11.如权利要求1的方法，其中所述波长的窄波段位于8-14微米的波长范围内。
12.如权利要求1的方法，还包括：
加热所述衬底。
13.如权利要求12的方法，其中所述加热包括将所述衬底的温度升至20-500℃。
14.如权利要求12的方法，其中所述加热包括将所述衬底的温度升至200-400℃。
15.如权利要求12的方法，其中在所述将所述电介质膜暴露于紫外辐射期间进行所述加热。
16.如权利要求12的方法，其中在所述将所述电介质膜暴露于红外辐射期间进行所述加热。
17.如权利要求11的方法，还包括：
控制所述衬底的温度。
18.如权利要求17的方法，还包括；
在所述控制期间将所述衬底夹持到衬底支架。
19.如权利要求1的方法，其中所述电介质膜包括多孔低介电常数(低k)膜。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
