[发明专利]一种大功率压接式IGBT封装模块有效
申请号: | 201310341881.9 | 申请日: | 2013-08-07 |
公开(公告)号: | CN103545269A | 公开(公告)日: | 2014-01-29 |
发明(设计)人: | 苏莹莹;张朋;刘文广;韩荣刚;包海龙;张宇;刘隽;车家杰 | 申请(专利权)人: | 国家电网公司;国网智能电网研究院;国网上海市电力公司 |
主分类号: | H01L23/31 | 分类号: | H01L23/31;H01L23/29;H01L23/06;H01L23/10;H01L23/48;H01L23/367 |
代理公司: | 北京安博达知识产权代理有限公司 11271 | 代理人: | 徐国文 |
地址: | 100031 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 大功率 压接式 igbt 封装 模块 | ||
1.一种大功率压接式IGBT封装模块,其特征在于,所述IGBT封装模块包括上端盖子、子模块、门极针和下端底座;所述上端盖子盖于下端底座上,所述子模块设置于上端盖子和下端底座之间,所述门极针设置于下端底座中绝缘底板的凹槽内。
2.如权利要求1所述的封装模块,其特征在于,所述上端盖子包括焊接为一体的盖子铜块和盖子大阳;所述盖子铜块和盖子大阳基本材料为铜材质,铜材质表面镀铑。
3.如权利要求1所述的封装模块,其特征在于,所述子模块包括顶部钼片、芯片、底部钼片、导电银片和塑料框架;在所述塑料框架的槽面内自上到下依次压接顶部钼片、芯片、底部钼片和导电银片,所述顶部钼片的上表面与上端盖子的下表面电极压接,所述导电银片的下表面与下端底座中月牙凸台的上表面压接。
4.如权利要求3所述的封装模块,其特征在于,所述芯片包括IGBT芯片和二极管芯片;所述IGBT芯片和二极管芯片通用一套模具注塑成统一的塑料框架,且芯片在组装时360°旋转调整进行装配;
所述塑料框架的材质采用PBI工程塑料;所述塑料框架为旋转矩阵形状。
5.如权利要求3所述的封装模块,其特征在于,所述顶部钼片的上表面与盖子大阳的下端面贴合。
6.如权利要求1所述的封装模块,其特征在于,所述门极针包括门极针绝缘套筒和导电针,所述导电针从下端套于门极针绝缘套筒,即门极针与子模块独立装配。
7.如权利要求1所述的封装模块,其特征在于,所述下端底座包括绝缘底板、PCB板、底座铜块、底座密封圈、底座陶瓷管壳、底座大阳、门极导出管和底座电极导出管;
所述绝缘底板从下端同心套于底座铜块中,所述PCB板从下端同心套于底座铜块中,所述PCB板设置于绝缘底板和底座密封圈之间;在套好绝缘底板和PCB板后,所述底座密封圈与底座铜块同心焊接;所述底座密封圈和底座陶瓷管壳同心焊接;所述底座陶瓷管壳和底座大阳同心焊接。
8.如权利要求7所述的封装模块,其特征在于,所述门极导出管为IGBT芯片的触发端,所述底座电极导出管为二极管芯片的导出端,两种导出管均为铜材质,铜材质表面镀银。
9.如权利要求7所述的封装模块,其特征在于,所述绝缘底板的材质为PBI工程塑料;
所述底座陶瓷管壳为氧化铝陶瓷;
所述底座密封圈、底座大阳和底座铜块采用铜材质,铜材质表面镀铑。
10.如权利要求7所述的封装模块,其特征在于,所述底座铜块包括月牙凸台;盖子大阳盖于底座大阳上,盖子大阳与底座大阳对应法兰边缘焊接到一起。
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