[发明专利]吸附平台有效
申请号: | 201310342008.1 | 申请日: | 2013-08-07 |
公开(公告)号: | CN103567914A | 公开(公告)日: | 2014-02-12 |
发明(设计)人: | 田边雅明 | 申请(专利权)人: | 龙云株式会社 |
主分类号: | B25B11/00 | 分类号: | B25B11/00;B25H1/00 |
代理公司: | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人: | 姜虎;陈英俊 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 吸附 平台 | ||
技术领域
本发明涉及用于吸附工件的吸附平台,特别涉及适于吸附厚度为100μm等级的薄板玻璃或薄膜等极薄的板片状工件的吸附平台。
背景技术
在现有技术,已知有用吸附平台吸附作为处理对象的工件,以实施规定处理的工件处理装置(例如,参考专利文献1。)。作为工件的具体例,可列举:半导体基板、液晶显示装置用的玻璃基板、光掩膜用的玻璃基板、光盘用基板等片状且矩形的工件。
图6为表示现有技术的吸附平台的俯视图。如图6所示,吸附平台101的上表面为工件(未图示)的保持面101A,在该保持面101A的中央部,设定有用以吸附工件的矩形的吸附部。吸附部具有吸附沟110。吸附沟110通过多个纵向沟111及多个横向沟112而形成为格子状。这种吸附沟110可通过使用钻石切割机的切削加工等轻易地形成。
图7为图6的被点划线围住的VII部份的放大图。如图7所示,从与吸附平台101的保持面101A相反的一侧的面(下表面)101B,到对应于吸附部的区域的适当部位处,通过钻孔加工而在吸附沟110的正下方形成多个圆形的下孔120。
图8为从图6的箭头方向观察的VIII-VIII线剖面图。各个下孔120以不贯穿吸附平台101的深度(请参考图8中符号D1),自吸附平台101的下表面形成。在下孔120的下部,气密地安装有衬套102,用以连接真空泵(未图示)。
另外,在吸附部中的加工有多个下孔120的各个位置,通过钻孔加工形成有从吸附平台101的上表面贯通至下孔120的连通孔130。通过连通孔130,各个下孔120与吸附沟110实现连通。
连通孔130通过从预先形成于保持面101A的吸附沟110上实施钻孔加工而形成。因此,连通孔130的孔径的极限,为或的程度。吸附沟110的沟宽通常为比上述值更小的尺寸。尤其在专门用于吸附厚度为100μm等级的薄片玻璃或薄膜等极薄的板片状工件的吸附平台,基于在吸附部确保与工件的接触面积的观点,吸附沟110的沟宽为0.2㎜左右的也不少见,连通孔130的孔径就会高达吸附沟110的沟宽的4~5倍的程度。也就是说,在连通孔130位置处,吸附沟110的沟宽会局部地变大。
当对这样的吸附平台101的吸附部上吸附上述极薄的板片状工件时,工件的表面被吸附成,在连通孔130之处产生点状凹陷的变形。
吸附平台设置于对吸附平台的保持面所保持的工件的表面实施规定处理的设备上。作为此种处理装置的一例,有涂布装置。涂布装置具有狭缝喷嘴,该狭缝喷嘴与吸附平台的保持面平行地行进,由此狭缝喷嘴对工件表面喷吐涂布液,从而以特定的膜厚进行涂布。
[现有技术文献]
[专利文献1]日本特开2005-85881号公报
发明内容
发明所要解决的问题
薄膜化已进展到涂布装置所能够涂布的涂膜的膜厚在湿膜状态下为1~1.5μm的程度。因此,若在工件的表面,就算深度只有数μm,只要点状地形成了几个凹陷,涂布液就会留存在该凹陷处,使得该部位在涂膜干燥后变厚,从而产生膜厚不均匀的问题。
本发明鉴于上述课题所开发,其目的在于,提供一种吸附平台,其可以在不使极薄的板片状工件表面产生凹凸的情况下,整面齐平地加以抽吸并吸附。
解决问题的技术手段
吸附平台通过设定于保持面的吸附部来抽吸并吸附极薄的板片状工件。本发明提供此种吸附平台,其具有吸附沟、多个下孔以及多个连通沟。吸附沟形成于保持面的吸附部,以多个纵向沟及多个横向沟而形成为格子状。多个下孔形成于与保持面相反侧的面中对应于吸附部的区域处,且形成在吸附沟的正下方,此处所谓「对应的区域处」的意义,不仅包括空间上正确对应的区城处,还包括对应的区城的适当处。多个连通沟以与吸附沟实质相同的沟宽,沿着吸附沟形成,连接于多个下孔的各自上端,使下孔与吸附沟连通,此处所谓「实质相同的沟宽」的意义,不仅包括空间上正确相同的沟宽,还包括大致相同的沟宽。
根据此结构,则不会在设定于吸附平台的保持面内的吸附部产生比吸附沟的沟宽还要大的开口。
发明效果
根据本发明,可以在不使极薄的板片状工件的表面产生凹凸的情况下,整面齐平地对其加以吸附。通过在涂布装置采用本发明的吸附平台,可以在极薄的板片状工件的表面,以均匀膜厚涂布涂布液。
附图说明
图1为显示本发明一实施形态的吸附平台的俯视图。
图2为图1中以点划线所围出的II部份的放大图。
图3为图1中,从箭头方向观察的III―III线剖面图。
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