[发明专利]一种利用可重复使用的衬底制备多晶硅薄膜的方法

权利要求书

1.一种利用可重复使用的衬底制备多晶硅薄膜的方法，其特征在于：步骤如下：

步骤1：以陶瓷板为衬底；

步骤2：在衬底上涂覆石墨薄膜，石墨薄膜的厚度为1-10微米；

步骤3：在涂覆石墨薄膜的衬底上采用化学气相沉积方法制备多晶硅薄膜；

步骤4：采用退火方法使多晶硅薄膜与衬底分离；

步骤5：分离后的陶瓷板衬底用来再重复沉积多晶硅薄膜。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤1中所述陶瓷板为氧化硅或氮化硅材料，纯度高于4N。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤2中采用沉积或溅射的方法在陶瓷衬底上涂覆石墨薄膜。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤4中所述退火方法是指将沉积好多晶硅薄膜的陶瓷板在氢气或氮气的保护下，加热到800-1200℃，然后关断加热电源冷却到室温。