[发明专利]一种包括形成薄膜电容器的方法有效
申请号: | 201310342049.0 | 申请日: | 2007-03-31 |
公开(公告)号: | CN103632843A | 公开(公告)日: | 2014-03-12 |
发明(设计)人: | H·佘;Y·闵;C·A·帕拉杜斯 | 申请(专利权)人: | 英特尔公司 |
主分类号: | H01G4/33 | 分类号: | H01G4/33;H01G4/06;H01G4/12 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 王洪斌 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 包括 形成 薄膜 电容器 方法 | ||
1.一种包括形成薄膜电容器的方法,包括:
在第一电极上图案化掩模;
在所述第一电极和所述掩模上形成绿色介电膜,绿色介电膜的厚度在0.5微米至30微米的范围内;
剥离所述掩模以获得正图案绿色介电膜;以及
在剥离所述掩膜后,烧结所述正图案绿色介电膜以获得已烧结的电介质。
2.如权利要求1所述的包括形成薄膜电容器的方法,在剥离所述掩膜之前,所述方法包括初步固化所述绿色介电膜以使得所述绿色介电膜变得在室温下不可流动。
3.如权利要求1所述的包括形成薄膜电容器的方法,在剥离所述掩膜之前,所述方法包括初步固化所述绿色介电膜,其中所述绿色介电膜通过溶胶-凝胶工艺形成,以及其中初步固化在从50℃至150℃的范围内的温度下进行。
4.如权利要求1所述的包括形成薄膜电容器的方法,其中,剥离所述掩模包括一种方法,该方法选自由湿法溶解所述掩模和蒸汽溶胀所述掩模组成的组中。
5.如权利要求1所述的包括形成薄膜电容器的方法,其中,烧结在从700℃至900℃的温度范围内进行。
6.如权利要求1所述的包括形成薄膜电容器的方法,还包括:
在剥离所述掩膜之前,初步固化所述绿色介电膜以使得所述绿色介电膜变得在室温下不可流动,其中初步固化在从50℃至150℃的温度范围内进行;
其中烧结在从700℃至900℃的温度范围内并且在无反应性气氛中进行,其中所述无反应性气氛是无反应性气体、气氛减压的气体或真空;以及
给已烧结的介电膜配上第二电极。
7.如权利要求1所述的包括形成薄膜电容器的方法,其中,形成正图案绿色介电膜包括形成溶胶-凝胶合成物,其包括烷氧基钛、钡无机盐、甲氧基乙醇和1,2-亚乙基二醇。
8.如权利要求1所述的包括形成薄膜电容器的方法,其中,形成正图案绿色介电膜包括形成溶胶-凝胶合成物,其包括烷氧基钛、锶无机盐、甲氧基乙醇和1,2-亚乙基二醇。
9.如权利要求1所述的包括形成薄膜电容器的方法,其中,形成正图案绿色介电膜包括形成溶胶-凝胶合成物,其包括烷氧基钛、钡无机盐、锶无机盐、甲氧基乙醇和1,2-亚乙基二醇。
10.如权利要求1所述的包括形成薄膜电容器的方法,进一步包括:
在已烧结的电介质上形成第二电极,其中,已烧结的电介质设置在第一电极和第二电极之间且与第一电极和第二电极邻接;
放置下介电层,与第一电极接触;
放置上介电层,与第二电极接触
形成第一电极接触,其与第一电极电耦合并从下介电层延伸到上介电层;
形成第二电极接触,其与第二电极电耦合并从下介电层延伸到上介电层;
其中,所述形成第一电极接触及所述形成第二电极接触在不用激光钻孔穿过已烧结的电介质的情况下进行。
11.一种包括形成薄膜电容器的方法,包括:
在第一电极上提供图案化的掩膜,图案化的掩膜包括暴露第一电极的开孔;
在第一电极上及在掩膜上形成绿色介电膜;
初步将绿色介电膜加热至第一温度,从而固化所述绿色介电膜以使得所述绿色介电膜变得在室温下不可流动;
在所述初步加热绿色介电膜之后,清除所述掩膜,以获得正图案绿色介电膜;以及
在所述清除所述掩膜之后,第二将固化的绿色介电膜加热来获得已烧结的电介质,其中所述第二加热是在比初步加热的更高的温度下进行的;
在已烧结的电介质上形成第二电极,其中,已烧结的电介质被放置在第一电极和第二电极之间;
放置下介电层,与第一电极接触;
放置上介电层,与第二电极接触;
形成第一电极接触,其与第一电极电耦合并从下介电层延伸到上介电层;以及
形成第二电极接触,其与第二电极电耦合并从下介电层延伸到上介电层;
其中,所述形成第一电极接触及所述形成第二电极接触在不用激光钻孔穿过已烧结的电介质的情况下进行。
12.如权利要求11所述的包括形成薄膜电容器的方法,其中,形成固化的绿色介电膜,使其具有在0.5微米至30微米的范围内的厚度。
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