[发明专利]压控晶圆载体以及晶圆传输系统在审
申请号: | 201310342266.X | 申请日: | 2013-08-07 |
公开(公告)号: | CN104051310A | 公开(公告)日: | 2014-09-17 |
发明(设计)人: | 陈世宏 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677;H01L21/673 |
代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人: | 章社杲;孙征 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 压控晶圆 载体 以及 传输 系统 | ||
1.一种在第一晶圆处理设备处传输晶圆的方法,所述第一晶圆处理设备包括在内部具有第一压力的气锁室、与所述气锁室气体连通但是可通过第一门与所述气锁室隔开的传送模块、以及与所述传送模块气体连通但可通过第二门与所述传送模块隔开的工艺室,其中,所述第一门位于所述气锁室和所述传送模块之间,所述第二门位于所述传送模块和所述工艺室之间,所述传送模块和所述工艺室分别在内部具有预设的第二压力和第三压力,所述方法包括:
传输其中包括多个晶圆的晶圆承载壳体,所述壳体具有用于传送多个晶圆通过其中的壳体开口和壳体门,其中,所述晶圆承载壳体在传输期间在所述壳体内部具有预设的承载压力;
将所述晶圆承载壳体与所述气锁室相对接;
将所述气锁室内部的所述第一压力变为所述承载压力;
开启所述壳体门;
将所述气锁室和所述晶圆承载壳体内部的所述承载压力变为所述第二压力;
开启所述第一门;
将所述多个晶圆从所述晶圆承载壳体传送至所述传送模块;
开启所述第二门;以及
将所述多个晶圆从所述传送模块传送至所述工艺室中来用于处理。
2.根据权利要求1所述的方法,还包括:
在处理之后,将所述多个晶圆从所述工艺室传送回所述晶圆承载壳体中。
3.根据权利要求2所述的方法,还包括:
在将所述多个晶圆传送回所述晶圆承载壳体之后,以所述承载压力来填充所述晶圆承载壳体。
4.根据权利要求3所述的方法,还包括:
在以所述承载压力填充所述晶圆承载壳体之后,将所述晶圆承载壳体与所述气锁室分离;以及
将所述晶圆承载壳体传输至第二晶圆处理设备。
5.根据权利要求1所述的方法,其中,通过附接到所述气锁室的气泵来实现所述第一压力的改变以及所述承载压力的改变。
6.一种适用于晶圆传输和处理系统的可传输晶圆载体,其中所述晶圆传输和处理系统包括用于制造半导体器件的多个晶圆处理设备,所述晶圆载体包括:
其尺寸被配置成在其中可移除地包括多个晶圆的壳体,所述壳体具有用于通过传送所述多个晶圆通过其中的开口和门,其中所述壳体在传输期间在其中具有高于或者低于大气压力的预设承载压力。
7.根据权利要求6所述的可传输晶圆载体,还包括:
传感器-发射器,用于无线广播实际压力、所述多个晶圆的数量和/或所述晶圆承载壳体在其传输期间的内部温度。
8.根据权利要求6所述的可传输晶圆载体,其中,所述壳体还用于与晶圆处理设备的气锁室对接以装载或卸载所述多个晶圆。
9.一种用于制造半导体器件的系统,包括:
晶圆处理设备,包括:
气锁室;
与所述气锁室气体连通但可通过第一门隔开的传送模块,所述第一门位于所述气锁室和所述传送模块之间;和
与所述传送模块气体连通但可通过第二门隔开的工艺室,所述第二门位于所述传送模块和所述工艺室之间;以及
可传输晶圆载体,用于固定位于其中的多个晶圆,所述可传输晶圆载体包括:
开口;
用于传送多个晶圆通过其中的门;和
壳体,用于在传输期间在所述壳体内部维持预设承载压力,并且用于与所述气锁室对接以装载或者卸载所述多个晶圆。
10.根据权利要求9所述的系统,其中,所述晶圆处理设备还包括:附接到所述气锁室的气泵,用于调整所述气锁室内部的压力。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造