[发明专利]一种等离子体加工设备

权利要求书

1.一种等离子体加工设备，包括反应腔室、上激励射频功率源、直流功率源以及晶片支撑装置，所述上激励射频功率源用以提供产生等离子体的能量；

所述晶片支撑装置设于所述反应腔室内，其包括用于承载晶片的托盘和用于承载所述托盘的卡盘；

其特征在于，所述托盘内设有托盘电极，所述卡盘内设有卡盘电极，所述托盘和所述卡盘相互电绝缘，并与等离子体电绝缘，所述直流功率源用以在所述托盘电极与所述卡盘电极之间以及所述托盘电极与所述晶片之间分别产生电压差；并在所述晶片与所述托盘电极之间形成第一电容，在所述托盘电极与所述卡盘电极之间形成第二电容，所述第一电容和所述第二电容并联。

2.根据权利要求1所述的等离子体加工设备，其特征在于，所述直流功率源包括一个直流电源，所述直流电源包括正极输出端和负极输出端，所述正极输出端与所述托盘电极电连接，所述负极输出端接地，所述卡盘电极接地；或者，所述负极输出端与所述托盘电极电连接，所述正极输出端接地，所述卡盘电极接地。

3.根据权利要求1所述的等离子体加工设备，其特征在于，所述直流功率源包括一个直流电源，所述直流电源包括正极输出端、负极输出端和公共端，所述托盘电极与所述直流电源的正极输出端或所述直流电源的负极输出端电连接，所述公共端接地，所述卡盘电极接地。

4.根据权利要求1所述的等离子体加工设备，其特征在于，所述直流功率源包括一个直流电源，所述直流电源包括正极输出端和公共端，所述正极输出端与所述托盘电极电连接，所述公共端接地，所述卡盘电极接地；

或者，所述直流电源包括负极输出端和公共端，负极输出端与所述托盘电极电连接，所述公共端接地，所述卡盘电极接地。

5.根据权利要求2-4任意一项所述的等离子体加工设备，其特征在于，在所述托盘电极与所述直流电源之间串接有滤波电路。

6.根据权利要求5所述的等离子体加工设备，其特征在于，所述滤波电路为高频电阻。

7.根据权利要求5所述的等离子体加工设备，其特征在于，所述滤波电路为射频衰减小于-10dB的滤波电路。

8.根据权利要求7所述的等离子体加工设备，其特征在于，所述滤波电路包括n个电感和n个电容，n个所述电感串联，n个所述电容并联，所述电容与所述电感并联，而且所述电容的一端接地，n≥1的整数。

9.根据权利要求1所述的等离子体加工设备，其特征在于，所述直流功率源包括第一直流电源和第二直流电源，所述第一直流电源和所述第二直流电源各自包括正极输出端、负极输出端和公共端，所述托盘电极与所述第一直流电源的正极输出端或负极输出端电连接，所述卡盘电极与所述第二直流电源的正极输出端或负极输出端电连接，所述第一直流电源的公共端和所述第二直流电源的公共端均接地。

10.根据权利要求9所述的等离子体加工设备，其特征在于，在所述托盘电极和所述直流功率源之间以及所述卡盘电极与所述直流功率源之间分别串接有滤波电路。

11.根据权利要求10所述的等离子体加工设备，其特征在于，所述滤波电路为高频电阻。

12.根据权利要求10所述的等离子体加工设备，其特征在于，所述滤波电路为射频衰减小于-10dB的滤波电路。

13.根据权利要求12所述的等离子体加工设备，其特征在于，所述滤波电路包括n个电感和n个电容，n个所述电感串联，n个所述电容并联，所述电容与所述电感并联，而且所述电容的一端接地，n≥1的整数。

14.根据权利要求1所述的等离子体加工设备，其特征在于，所述托盘包括托盘本体和绝缘层，所述托盘本体采用导电材料制作，所述绝缘层包覆所述托盘本体的外表面，所述托盘本体作为所述托盘电极；

所述卡盘包括卡盘本体和绝缘层，所述卡盘本体采用导电材料制作，所述绝缘层包覆所述卡盘本体的外表面，所述卡盘本体作为所述卡盘电极。

15.根据权利要求14所述的等离子体加工设备，其特征在于，所述绝缘层为通过喷涂绝缘材料方式获得；或为通过阳极氧化方式获得的三氧化二铝层。

16.根据权利要求15所述的等离子体加工设备，其特征在于，所述绝缘材料包括石英或者陶瓷或金属氧化物。