[发明专利]一种高速的环形压控振荡器有效

专利信息
申请号: 201310342362.4 申请日: 2013-08-08
公开(公告)号: CN103414466A 公开(公告)日: 2013-11-27
发明(设计)人: 张长春;房军梁;陈德媛;郭宇锋;方玉明 申请(专利权)人: 南京邮电大学
主分类号: H03L7/099 分类号: H03L7/099
代理公司: 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 代理人: 叶连生
地址: 210003 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 高速 环形 压控振荡器
【权利要求书】:

1.一种高速的环形压控振荡器,其特征在于该环形压控振荡器由四级延迟单元串联组成,其中每一级延迟单元的负输出端(Vout-)接下一级延迟单元的正输入端(Vin+),每一级延迟单元的正输出端(Vout+)接下一级延迟单元的负输入端(Vin-);最后一级延迟单元的负输出端(Vout-)接至第一级延迟单元的负输入端(Vin-),最后一级延迟单元的正输出端(Vout+)接至第一级延迟单元的正输入端(Vin+)。

2.按照权利要求书1所述的高速的环形压控振荡器,其特征在于所述的延迟单元包括第一对NMOS管(M1a,M1b)、第一对PMOS管(M2a,M2b)、第二对NMOS管(M3a,M3b)、第二对PMOS管(M4a,M4b)、第三对PMOS管(M5a,M5b),尾电流管(M6),其中:

第一对NMOS管(M1a,M1b)为差分输入对管,其栅极分别接正输入端(Vin+)和负输入端(Vin-),漏极分别接负输出端(Vout-)和正输出端(Vout+),源极接尾电流管(M6)的漏极;

第一对PMOS管(M2a,M2b)与第二对NMOS管(M3a,M3b)分别构成有源电感,第一对PMOS管(M2a,M2b)的栅极接偏置电压Vbias1,源极接电源(vdd),漏极分别接第二对NMOS管(M3a,M3b)的栅极;

第二对NMOS管(M3a,M3b)的源极分别接负输出端(Vout-)和正输出端(Vout+),漏极接电源(vdd);

第二对PMOS管(M4a,M4b)的栅极接地(gnd),源极接电源(vdd),漏极分别接负输出端(Vout-)和正输出端(Vout+);

第三对PMOS管(M5a,M5b)作压控电阻用,其栅极接控制电压(Vc),源极接电源(vdd),漏极接负输出端(Vout-)和正输出端(Vout+);

尾电流管(M6)栅极接偏置电压Vbias2,漏极接第一对NMOS管的源极,尾电流管(M6)源极接地。

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