[发明专利]减小光刻胶图形线宽粗糙度的方法

权利要求书

1.一种减小光刻胶图形线宽粗糙度的方法，其特征在于，包括：

将表面设有光刻胶图形的基底置于真空室中；

用带状离子束对光刻胶图形进行离子注入，以减小光刻胶图形的低频线宽粗糙度。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，将氦气等离子体化形成所述带状离子束。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，离子注入能量为nkeV至2nkeV，所述n为离子所带电荷的数量。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，将氩气等离子体化形成所述带状离子束。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，离子注入能量为0.25nkeV至1.25nkeV，所述n为离子所带电荷的数量。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，将硅烷等离子体化形成所述带状离子束。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，离子注入能量为1.5nkeV至2.5nkeV，所述n为离子所带电荷的数量。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，离子注入之后，还包括：进行化学气相沉积，以在所述光刻胶图形表面形成聚合物层。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述化学气相沉积所采用的气体包括：CH₄。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述化学气相沉积所采用的气体还包括：CH₃F、N₂中的一种或两种。

11.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，离子注入之后还包括：将所述基底暴露于用含HBr的气体所形成的第一等离子体环境中，以对所述光刻胶图形进行第一等离子体处理。

12.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，离子注入之后、化学气相沉积之前，还包括：将所述基底暴露于用含HBr的气体所形成的第一等离子体环境中，以对所述光刻胶图形进行第一等离子体处理。

13.根据权利要求11或12所述的方法，其特征在于，所述第一等离子体处理步骤中，用于形成所述第一等离子体的第一射频电源断续地打开。

14.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，所述第一射频电源周期性地打开和关闭。

15.根据权利要求14所述的方法，其特征在于，所述第一等离子体处理步骤中，等离子产生设备的电极被施加第一偏置电压。

16.根据权利要求15所述的方法，其特征在于，所述第一等离子体处理的工艺参数包括：压力为2至100mtorr，第一射频电源的功率为50至1000W，第一偏置电压为10至200V，HBr的流量为50至1000sccm，所述第一射频电源打开的频率为10至1000Hz，所述第一射频电源打开的时间与第一射频电源打开和关闭的时间之和的比为10%至90%，处理时间为5至600s。

17.根据权利要求11或12所述的方法，其特征在于，离子注入之后还包括：将所述基底暴露于用含H₂的气体所形成的第二等离子体环境中，以对所述光刻胶图形进行第二等离子体处理；

所述第二等离子体处理在第一等离子体处理之前或之后进行。

18.根据权利要求17所述的方法，其特征在于，所述离子注入之后至少包括两次第一等离子体处理和第二等离子体处理，所述第一等离子体处理和第二等离子体处理交替进行。

19.根据权利要求17所述的方法，其特征在于，所述第二等离子体处理步骤中，等离子产生设备的电极被施加第二偏置电压。

20.根据权利要求11或12所述的方法，其特征在于，所述含HBr的气体还包括：O₂、CO₂、N₂中的一种或多种。