[发明专利]一种基于金属钌修饰的多孔硅表面金属电极制备方法有效
| 申请号： | 201310343200.2 | 申请日： | 2013-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN103367134A | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | 李伟;余锋;廖家科;郭安然;王冲;蒋亚东 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L21/283 | 分类号： | H01L21/283;H01L21/28 |
| 代理公司： | 成都华典专利事务所(普通合伙) 51223 | 代理人： | 徐丰;杨保刚 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 金属 修饰 多孔 表面 金属电极 制备 方法 | ||
1.一种基于金属钌修饰的多孔硅表面金属电极制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
①对多孔硅进行金属修饰前处理；
②金属钌修饰多孔面；
③对金属钌修饰后的多孔硅进行干燥处理；
④在金属钌修饰后的多孔硅表面沉积金属电极；
⑤快速退火；
⑥光刻形成指定电极形状。
2.根据权利要求1所述的基于金属钌修饰的多孔硅表面金属电极制备方法，其特征在于，该制备方法更详细的描述为：
①对多孔硅表面进行金属修饰前处理：首先采用HF水溶液去除多孔硅表面氧化层，然后用去离子水进行洗涤；
②钌修饰多孔面，即将洗涤后的多孔硅放入氯化钌的酸溶液中侵泡；
③对金属钌修饰后的多孔硅进行干燥处理，使钌修饰后的多孔硅表面形成一层钌颗粒和氧化硅的过渡层；
④在经步骤③处理后的多孔硅表面上沉积金属电极；
⑤对步骤④沉积金属电极后的多孔硅进行快速退火处理；
采用光刻工艺将金属电极刻蚀成指定电极形状，完成电极制备。
3.根据权利要求2所述的基于金属钌修饰的多孔硅表面金属电极制备方法，其特征在于，在步骤①中所述HF溶液的浓度为10%，作用时间为10s；在步骤②中所述氯化钌酸溶液是摩尔浓度为0.01mol/L的RuCl3溶液与摩尔浓度为40ml/L 的HCl溶液的混合液，反应时间为30s～60s。
4.根据权利要求2所述的基于金属钌修饰的多孔硅表面金属电极制备方法，其特征在于，在步骤③中所述干燥处理温度为100~120℃，处理时间为10min，干燥处理的设备为电烘烤箱。
5.根据权利要求2所述的基于金属钌修饰的多孔硅表面金属电极制备方法，其特征在于，步骤④中所述沉积的金属电极厚度为0.2μm。
6.根据权利要求2所述的基于金属钌修饰的多孔硅表面金属电极制备方法，其特征在于，在步骤⑤中所述快速退火处理温度为300~500℃，在氩气气氛下退火30s~1min。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于电子科技大学，未经电子科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310343200.2/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：夹网无纺布合成革
- 下一篇：一种带新型防护涂层的电加热管
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
