[发明专利]一种能够在太阳能硅片上生成绝缘层的厚膜浆料在审

专利信息
申请号: 201310343887.X 申请日: 2013-08-06
公开(公告)号: CN103456388A 公开(公告)日: 2013-12-18
发明(设计)人: 柴良;冯纪伟;杨至灏 申请(专利权)人: 浙江光达电子科技有限公司
主分类号: H01B3/10 分类号: H01B3/10
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 325000 浙江省温*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 能够 太阳能 硅片 生成 绝缘 浆料
【权利要求书】:

1.一种能够在太阳能硅片上生成绝缘层的厚膜浆料,其特征在于,由包括以下重量百分比的原料制成:三氧化二铝粉末40-90,玻璃粉0.1-10,无机添加剂0.1-10,有机载体9.8-50。

2.根据权利要求1所述的能够在太阳能硅片上生成绝缘层的厚膜浆料,其特征在于:所述玻璃粉选自铅-硼-硅酸盐、锌-硼-硅酸盐、铋-硼-硅酸盐中的一种或多种。

3.根据权利要求1所述的能够在太阳能硅片上生成绝缘层的厚膜浆料,其特征在于:所述无机添加剂选自Ca、Mg、Bi、Zn、Ag、Ta、Ti、Mn、Ru、Rh元素中的氧化物。

4.根据权利要求1所述的能够在太阳能硅片上生成绝缘层的厚膜浆料,其特征在于:所述有机载体为高分子树脂和有机溶剂的混合物,高分子树脂与有机溶剂的质量比为(0.1-1)∶10。

5.根据权利要求4所述的能够在太阳能硅片上生成绝缘层的厚膜浆料,其特征在于:所述高分子树脂选自纤维素、PMA、松香树脂中的一种或多种;有机溶剂选自松油醇、醇脂、脂肪醇、乙二醇中的一种或多种。

6.根据权利要求1所述的能够在太阳能硅片上生成绝缘层的厚膜浆料,其特征在于:所述三氧化二铝粉末为粒径为0.1-10微米或0.001-0.1微米,或为二者的混合物。

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