[发明专利]金氧半场效晶体管MOSFET的漏电位置检测方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体技术，尤其涉及一种金氧半场效晶体管MOSFET的漏电位置检测方法。

背景技术

金属-氧化层-半导体-场效晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，MOSFET）是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管。

现有技术中进行MOSFET漏电失效定位的技术包括例如红外热像、液晶、电子束探针等。但是IC（即集成电路是采用半导体制作工艺）进入深亚微米时代后，上述方法的性能逐渐成为瓶颈，难以对微区域的缺陷进行比较精确的定位，使得针对IC中缺陷的定位和失效的认定变得愈加困难。上述的红外热像、液晶、电子束探针等漏电分析设备不是所有的芯片制造工厂都有，而且用这些设备做漏电分析成本很高。

发明内容

本发明提供一种金氧半场效晶体管MOSFET的漏电位置检测方法，该方法适用于对MOSFET的漏电位置进行定位，所述MOSFET包括衬底、所述衬底上设置有漏极、源极、栅极以及衬底电极；该方法包括：

对漏极、源极、栅极以及衬底电极进行电线连接，形成Bvd/sgt测试结构；所述Bvd/sgt测试结构中所述源极、所述栅极以及所述衬底电极共同接地；向所述漏极施加测试电压，在所述测试电压逐渐增大的过程，检测流经所述漏极的电流是否达到预设电流值，以获得第一检测结果；

对漏极、源极、栅极以及衬底电极进行电线连接，形成Bvds/gt测试结构；所述Bvds/gt测试结构中所述栅极和所述衬底电极共同接地，所述漏极和所述源极短接；向所述漏极和所述源极施加测试电压，在所述测试电压逐渐增大的过程，检测流经所述漏极和所述源极的电流是否达到预设电流值，以获得第二检测结果；

对漏极、源极、栅极以及衬底电极进行电线连接，形成Bvt/sdg测试结构；所述Bvt/sdg测试结构中所述源极、所述栅极以及所述漏极共同接地；向所述衬底电极施加测试电压，在所述测试电压逐渐增大的过程，检测流经所述衬底电极的电流是否达到预设电流值，以获得第三检测结果；

根据所述第一检测结果、所述第二检测结果和所述第三检测结果，对所述MOSFET的漏电位置进行定位。

如上所述的方法，其中，所述根据所述第一检测结果、所述第二检测结果和所述第三检测结果，对所述MOSFET的漏电位置进行定位包括：

若所述第一检测结果为流经所述漏极的电流达到预设电流值，所述第二检测结果为流经所述漏极和所述源极的电流达到预设电流值，且所述第三检测结果为流经所述衬底电极的电流没有达到预设电流值，则获知漏电位置位于所述栅极和所述漏极之间；

若所述第一检测结果为流经所述漏极的电流没有达到预设电流值，所述第二检测结果为流经所述漏极和所述源极的电流达到预设电流值，且所述第三检测结果为流经所述衬底电极的电流没有达到预设电流值，则获知漏电位置位于所述栅极和所述源极之间；

若所述第一检测结果为流经所述漏极的电流没有达到预设电流值，所述第二检测结果为流经所述漏极和所述源极的电流达到预设电流值，且所述第三检测结果为流经所述衬底电极的电流达到预设电流值，则获知漏电位置位于所述源极和所述衬底电极之间；

若所述第一检测结果为流经所述漏极的电流达到预设电流值，所述第二检测结果为流经所述漏极和所述源极的电流达到预设电流值，且所述第三检测结果为流经所述衬底电极的电流达到预设电流值，则获知漏电位置位于所述漏极和所述衬底电极之间；

若所述第一检测结果为流经所述漏极的电流达到预设电流值，所述第二检测结果为流经所述漏极和所述源极的电流没有达到预设电流值，且所述第三检测结果为流经所述衬底电极的电流没有达到预设电流值，则获知漏电位置位于所述源极和所述漏极之间；

若所述第一检测结果为流经所述漏极的电流没有达到预设电流值，所述第二检测结果为流经所述漏极和所述源极的电流没有达到预设电流值，且所述第三检测结果为流经所述衬底电极的电流达到预设电流值，则获知漏电位置位于所述栅极和所述衬底电极之间。

如上所述的方法，其中，所述预设电流值为1μA。

本发明提供的MOSFET的漏电位置检测方法，通过简单的电路连接，用探针测试就可以锁定漏电位置；通过本发明的方法能够提高漏电失效分析效率，降低漏电分析成本，而且漏电位置定位准确。

附图说明

图1为本发明实施例进行漏电检测的MOSFET的结构示意图；