[发明专利]图像传感器及像素拼接阵列的串亚像元读取方法有效

专利信息
申请号: 201310344571.2 申请日: 2013-08-08
公开(公告)号: CN103458197A 公开(公告)日: 2013-12-18
发明(设计)人: 王欣洋;周泉;马成 申请(专利权)人: 长春长光辰芯光电技术有限公司
主分类号: H04N5/369 分类号: H04N5/369;H04N5/357;H04N5/378
代理公司: 长春吉大专利代理有限责任公司 22201 代理人: 王淑秋
地址: 130033 吉*** 国省代码: 吉林;22
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摘要:
搜索关键词: 图像传感器 像素 拼接 阵列 串亚像元 读取 方法
【权利要求书】:

1.一种图像传感器,包括M×N像素阵列,其中M、N分别为像素阵列的行数和列数;其特征在于对于像素阵列中的任意一个像素P(i,j),其第二FD端(2)与相邻行像素P(i+1,j)的第一FD端(1)直接连接,并且像素P(i,j)的第二FD端(2)通过一个行拼接控制开关(5)与相邻行像素P(i+1,j)的第二FD端(2)连接,通过一个列拼接控制开关(6)与相邻列像素P(i,j+1)的第二FD端(2)连接;其中i,j分别为该像素所在的行号和列号。

2.一种如权利要求1所述的图像传感器的像素拼接阵列的串亚像元读取方法如下:

对于像素拼接单元为m行、n列像素阵列的图像传感器:

在第一帧,令列静态地址Vpn为0,其余列静态地址为1,行静态地址Aqm-1、Aqm为0,其余行静态地址为1,从而控制第pn列拼接控制开关、第qm行拼接控制开关和第qm-1行拼接控制开关关断,其余拼接控制开关打开;由第qm-(m-1)行~第qm行、第pn-(n-1)列~第pn列像素拼接成第q行第p列拼接像素单元;按行读取各拼接像素单元的总电荷作为拼接后图像的像素值;其中p、q为自然数,pn≤N,qm≤M;

在读取第二帧信号之前,改变像素拼接规则;

令列静态地址Vpn为0,其余列静态地址为1,行静态地址As、As-1、Aqm+s、Aqm+s-1为0,其余行静态地址为1,从而控制第pn列列拼接控制开关、第s、s-1、qm+s、qm+s-1行行拼接控制开关关断,其余拼接控制开关打开;由第1~s行、第pn-(n-1)列~第pn列像素拼接成第1行第p列拼接像素单元;由第qm+s-(m-1)行~第qm+s行、第pn-(n-1)列~第pn列像素拼接成第q+1行第p列拼接像素单元;由剩余行、第pn-(n-1)列~第pn列像素拼接成最后一行第p列拼接像素单元;按行读取此时各拼接像素单元的总电荷作为拼接后图像的像素值;其中s≤m/2;

或者,令列静态地址Vt、列静态地址Vpn+t为0,其余列静态地址为1,行静态地址Aqm、行静态地址Aqm-1为0,其余行静态地址为1;从而控制第t、pn+t列拼接控制开关和第qm-1、qm行拼接控制开关关断,其余拼接控制开关打开;由第qm-(m-1)行~第qm行、第1列~t列像素拼接成第q行第1列拼接像素单元,由第qm-(m-1)行~第qm行、第pn+t-(n-1)列~第pn+t列像素拼接成第q行第p+1列拼接像素单元;由第qm-(m-1)行~第qm行、剩余列像素拼接成最后一列拼接像素单元;按行读取此时各拼接像素单元的总电荷作为拼接后图像的像素值;其中t≤n/2;

以此类推,在连续帧之间按向下串s/m行拼接像素单元或按水平串t/n列拼接像素单元的方式改变像素拼接规则,按行读取改变像素拼接规则后各拼接像素单元的总电荷作为拼接后图像的像素值,从而得到拼接后的各帧图像。

3.根据权利要求2所述的图像传感器像素拼接阵列的串亚像元读取方法,其特征在于所述m=2,n=1,s=1。

4.根据权利要求2所述的图像传感器像素拼接阵列的串亚像元读取方法,其特征在于所述m=1,n=2,t=1。

5.根据权利要求2所述的图像传感器像素拼接阵列的串亚像元读取方法,其特征在于所述m=2,n=2;s=1或t=1。

6.根据权利要求2所述的图像传感器像素拼接阵列的串亚像元读取方法,其特征在于所述m=3,n=3;s=1或t=1。

7.根据权利要求2所述的图像传感器像素拼接阵列的串亚像元读取方法,其特征在于所述m=4,n=5;s=1或s=2。

8.根据权利要求2所述的图像传感器像素拼接阵列的串亚像元读取方法,其特征在于所述m=4,n=5;t=1或t=2。

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