[发明专利]一种铥掺杂硫代铝硅酸盐上转换发光材料及其制备方法和有机发光二极管无效
申请号: | 201310346812.7 | 申请日: | 2013-08-09 |
公开(公告)号: | CN104342128A | 公开(公告)日: | 2015-02-11 |
发明(设计)人: | 周明杰;陈吉星;王平;钟铁涛 | 申请(专利权)人: | 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司 |
主分类号: | C09K11/64 | 分类号: | C09K11/64;H01L51/54 |
代理公司: | 广州三环专利代理有限公司 44202 | 代理人: | 郝传鑫;熊永强 |
地址: | 518000 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 掺杂 硫代铝 硅酸盐 转换 发光 材料 及其 制备 方法 有机 发光二极管 | ||
1.一种铥掺杂硫代铝硅酸盐上转换发光材料,其特征在于,其化学式为AmB1-m-x Al2Si2S8:xTm3+,其中,A和B选自Mg,Ca,Sr和Ba中的任意两种,0.1≤m≤0.9,0.01≤x≤0.05。
2.如权利要求1所述的铥掺杂硫代铝硅酸盐上转换发光材料,其特征在于,所述0.2≤m≤0.5,所述x为0.03。
3.一种铥掺杂硫代铝硅酸盐上转换发光材料的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
(1)按摩尔比m∶(1-m-x):1∶2∶0.5x称取AS,BS,Al2S3,SiS和Tm2S3粉体,其中,A和B选自Mg,Ca,Sr和Ba中的任意两种,0.1≤m≤0.9,0.01≤x≤0.05;
(2)将步骤(1)称取的粉体混合研磨20~60分钟,得到均匀的粉料前驱体;
(3)将步骤(2)所得前驱体在800~1000℃下灼烧0.5~5小时,之后降温到100~500℃,保温0.5~3小时,然后随炉冷却至室温,得到铥掺杂硫代铝硅酸盐上转换发光材料,其化学式为AmB1-m-x Al2Si2S8:xTm3+,其中,A和B选自Mg,Ca,Sr和Ba中的任意两种,0.1≤m≤0.9,0.01≤x≤0.05。
4.如权利要求3所述的铥掺杂硫代铝硅酸盐上转换发光材料的制备方法,其特征在于,所述0.2≤m≤0.5,所述x为0.03。
5.如权利要求3所述的铥掺杂硫代铝硅酸盐上转换发光材料的制备方法,其特征在于,将步骤(1)称取的粉体在刚玉研钵中混合研磨。
6.如权利要求3所述的铥掺杂硫代铝硅酸盐上转换发光材料的制备方法,其特征在于,所述研磨时间为40分钟。
7.如权利要求3所述的铥掺杂硫代铝硅酸盐上转换发光材料的制备方法,其特征在于,步骤(3)中所述前驱体在950℃下灼烧3小时。
8.如权利要求3所述的铥掺杂硫代铝硅酸盐上转换发光材料的制备方法,其特征在于,将所述前驱体在950℃下灼烧3小时,之后冷却到250℃,再保温2小时,然后随炉冷却至室温,得到铥掺杂硫代铝硅酸盐上转换发光材料。
9.如权利要求3所述的铥掺杂硫代铝硅酸盐上转换发光材料的制备方法,其特征在于,步骤(3)进一步包括,将随炉冷却至室温后得到的块状铥掺杂硫代铝硅酸盐上转换发光材料粉碎,得到粉体目标产物。
10.一种有机发光二极管,该有机发光二极管包括依次层叠的基板、阴极、有机发光层、透明阳极以及透明封装层,其特征在于,所述透明封装层中分散有铥掺杂硫代铝硅酸盐上转换发光材料,其化学式为AmB1-m-xAl2Si2S8:xTm3+,其中,A和B选自Mg,Ca,Sr和Ba中的任意两种,0.1≤m≤0.9,0.01≤x≤0.05。
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