[发明专利]一种镱钕共掺杂硫代硅酸钇上转换发光材料及其制备方法和有机发光二极管

权利要求书

1.一种镱钕共掺杂硫代硅酸钇上转换发光材料，其特征在于，其化学式为Y_2-x-ySiS₅：xYb³⁺，yNd³⁺，其中，0.005≤x≤0.03，0.01≤y≤0.05。

2.如权利要求1所述的镱钕共掺杂硫代硅酸钇上转换发光材料，其特征在于，所述x为0.02，y为0.03。

3.一种镱钕共掺杂硫代硅酸钇上转换发光材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

（1）根据摩尔比（2-x-y）：2：x：y称取Y₂S₃，SiS，Yb₂S₃和Nb₂S₃粉体，其中，0.005≤x≤0.03，0.01≤y≤0.05；

（2）将步骤（1）称取的粉体溶于硫化氢、硫化氢铵或硫化铵水溶液中，并加入分散剂得到前驱体溶液；

（3）将步骤（2）中所得前驱体溶液导入喷雾干燥仪中，并通入惰性气体或还原性气体进行喷雾干燥，得到镱钕共掺杂硫代硅酸钇上转换发光材料，其化学式为Y_2-x-ySiS₅：xYb³⁺，yNd³⁺，其中，0.005≤x≤0.03，0.01≤y≤0.05；所述喷雾干燥仪的系统温度为500～1400℃，通入的气体流量控制在1～15L/min。

4.如权利要求3所述的镱钕共掺杂硫代硅酸钇上转换发光材料的制备方法，其特征在于，所述x为0.02，y为0.03。

5.如权利要求3所述的镱钕共掺杂硫代硅酸钇上转换发光材料的制备方法，其特征在于，所述分散剂为聚乙二醇、乙二醇、油酸或柠檬酸。

6.如权利要求3所述的镱钕共掺杂硫代硅酸钇上转换发光材料的制备方法，其特征在于，所述分散剂在所述前驱体溶液中的浓度为0.005mol/L～0.05mol/L。

7.如权利要求3所述的镱钕共掺杂硫代硅酸钇上转换发光材料的制备方法，其特征在于，所述惰性气体或还原气体为氮气，氩气或氢气的一种或几种的混合。

8.如权利要求3所述的镱钕共掺杂硫代硅酸钇上转换发光材料的制备方法，其特征在于，所述喷雾干燥过程中，所述喷雾干燥仪的系统温度为1200℃。

9.如权利要求3所述的镱钕共掺杂硫代硅酸钇上转换发光材料的制备方法，其特征在于，所述喷雾干燥过程中，通入的气体流量控制在12L/min。

10.一种有机发光二极管，该有机发光二极管包括依次层叠的基板、阴极、有机发光层、透明阳极以及透明封装层，其特征在于，所述透明封装层中分散有镱钕共掺杂硫代硅酸钇上转换发光材料，其化学式为Y_2-x-ySiS₅：xYb³⁺，yNd³⁺，其中，0.005≤x≤0.03，0.01≤y≤0.05。