[发明专利]MEMS玻璃浆料键合结构及其制造方法

权利要求书

1.一种MEMS玻璃浆料键合结构，包括：

封帽硅片，该封帽硅片上设置有微机械保护腔和位于所述微机械保护腔外围的第一玻璃浆料键合区；

器件硅片，该器件硅片上设置有微机械结构槽和位于所述微机械结构槽外围的第二玻璃浆料键合区，该微机械结构槽与微机械保护腔的位置相对应；

其特征在于，

所述封帽硅片上在该微机械保护腔和第一玻璃浆料键合区之间设置有玻璃浆料隔离槽，所述器件硅片上在该微机械结构槽和第二玻璃浆料键合区之间设置有玻璃浆料保护槽，所述玻璃浆料保护槽和所述封帽硅片上的玻璃浆料隔离槽的位置相对应，所述第一玻璃浆料键合区和第二玻璃浆料键合区之间通过玻璃浆料键合。

2.根据权利要求1所述的MEMS玻璃浆料键合结构，其特征在于，所述微机械结构槽和玻璃浆料保护槽的深度相同，所述微机械保护腔和玻璃浆料隔离槽的深度相同或不同。

3.根据权利要求1所述的MEMS玻璃浆料键合结构，其特征在于，还包括：位于所述微机械结构槽内的微机械质量块。

4.一种MEMS玻璃浆料键合结构的制造方法，其特征在于，包括：

提供第一硅片和第二硅片；

对所述第一硅片进行刻蚀，在其上形成微机械保护腔和玻璃浆料隔离槽，该玻璃浆料隔离槽位于所述微机械保护腔的外围，该玻璃浆料隔离槽的外围为第一玻璃浆料键合区，以形成封帽硅片；

对所述第二硅片进行刻蚀，在其上形成有微机械结构槽和玻璃浆料保护槽，以形成器件硅片，该玻璃浆料保护槽位于所述微机械结构槽的外围，该玻璃浆料保护槽的外围为第二玻璃浆料键合区，该微机械结构槽与微机械保护腔的位置相对应，该玻璃浆料保护槽与玻璃浆料隔离槽的位置相对应；

使用玻璃浆料键合工艺对所述第一玻璃浆料键合区和第二玻璃浆料键合区进行键合。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，对所述第一硅片进行刻蚀，在其上形成微机械保护腔和玻璃浆料隔离槽包括：

在所述第一硅片上形成第一掩膜层；

对所述第一掩膜层进行图案化，在其上开出第一窗口，该第一窗口的形状与所述微机械保护腔的形状对应；

在所述第一掩膜层上形成第二掩膜层；

对所述第二掩膜层和第一掩膜层进行图案化，在其上开出第二窗口，该第二窗口的形状与所述玻璃浆料隔离槽的形状对应；

以所述第二掩膜层为掩膜对所述第一硅片进行刻蚀，以在所述第一硅片上形成深度为d2的玻璃浆料隔离槽；

去除所述第二掩膜层，并以所述第一掩膜层为掩膜对所述第一硅片进行刻蚀，以在所述第一硅片上形成深度为d1的微机械保护腔，并将所述玻璃浆料隔离槽的深度加深为d2+d1；

去除所述第一掩膜层。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述第一掩膜层的材料是二氧化硅，所述第二掩膜层的材料为光刻胶。

7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述深度d2为3μm～100μm，所述深度d1为3μm～100μm。

8.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，对所述第一硅片进行刻蚀，在其上形成微机械保护腔和玻璃浆料隔离槽包括：

在所述第一硅片上形成第一掩膜层；

对所述第一掩膜层进行图案化，在其上开出第一窗口和第二窗口；

以所述第一掩膜层为掩膜对所述第一硅片进行刻蚀，以在所述第一硅片上形成深度为d0的微机械保护腔和玻璃浆料隔离槽；

去除所述第一掩膜层。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述深度d0为3μm～100μm。

10.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述器件硅片上的微机械结构槽和玻璃浆料保护槽的深度相同。

11.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，在刻蚀形成所述微机械结构槽时，同时刻蚀所述器件硅片以形成所述玻璃浆料保护槽。

12.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，在形成所述微机械结构槽之后，对所述第一玻璃浆料键合区和第二玻璃浆料键合区进行键合之前还包括：在所述器件硅片的微机械结构槽内形成微机械质量块。