[发明专利]采用共烧结法制备石英陶瓷坩埚高结合强度的氮化硅涂层无效
申请号: | 201310346988.2 | 申请日: | 2013-08-09 |
公开(公告)号: | CN103435370A | 公开(公告)日: | 2013-12-11 |
发明(设计)人: | 杜海燕;巩晓晓;张晓艳;胡小侠;张顶印 | 申请(专利权)人: | 天津大学 |
主分类号: | C04B41/85 | 分类号: | C04B41/85 |
代理公司: | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人: | 张宏祥 |
地址: | 300072*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 采用 烧结 法制 石英 陶瓷 坩埚 结合 强度 氮化 涂层 | ||
1.一种采用共烧结法制备石英陶瓷坩埚高结合强度的氮化硅涂层,其原料组分及其重量百分比含量为:氮化硅粉95~98%,纳米二氧化硅粉2~5%;
该采用共烧结法制备石英陶瓷坩埚高结合强度的氮化硅涂层的制备方法,具有如下步骤:
(1)按照原料组分及其重量百分比含量为:氮化硅粉95~98%,纳米二氧化硅粉2~5%;先将纳米二氧化硅粉分散到聚乙烯吡咯烷酮简称PVP水溶液中,超声机分散,再与氮化硅粉球磨混合后,制备成浆料;其中的PVP水溶液含量为原料总重量的59~228wt%;
(2)将步骤(1)的浆料通过喷涂、流延或者刷涂的方法粘附在石英陶瓷坩埚生坯内壁,初始膜厚为50~800微米;
(3)将步骤(2)内壁粘附有浆料的石英陶瓷坩埚生坯置于高温炉中进行热处理,以2℃/min由室温升至600℃,保温30min,再以4℃/min升至1200℃,保温2h,随炉冷却。
2.根据权利要求1的采用共烧结法制备石英陶瓷坩埚高结合强度的氮化硅涂层,其特征在于,所述的氮化硅粉为高纯氮化硅粉,纯度>99.9%;纳米二氧化硅粉为高纯纳米二氧化硅粉,纯度>99.9%。
3.根据权利要求1的采用共烧结法制备石英陶瓷坩埚高结合强度的氮化硅涂层,其特征在于,所述的纳米二氧化硅不仅包括纳米二氧化硅粉末,还包括一切通过加热或者分解的其他方式得到的纳米二氧化硅的其他物质,如硅溶胶。
4.根据权利要求1的采用共烧结法制备石英陶瓷坩埚高结合强度的氮化硅涂层,其特征在于,所述步骤(3)热处理后的石英陶瓷坩埚内壁氮化硅涂层的厚度为45-700微米。
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