[发明专利]移除制作工艺

权利要求书

1.一种移除制作工艺，其特征在于包括：

将衬底送入蚀刻机台，上述衬底上已形成材料层；

进行循环制作工艺，包括：

进行蚀刻制作工艺，以移除部分上述材料层；以及

进行回火制作工艺，以移除上述蚀刻制作工艺所产生的副产物；

至少重复一次上述循环制作工艺；以及

将上述衬底移出上述蚀刻机台。

2.如权利要求1所述的移除制作工艺，其中上述至少重复一次上述循环制作工艺是重复上述循环制作工艺至少二次。

3.如权利要求1所述的移除制作工艺，其中上述蚀刻制作工艺使用NF₃与NH₃做为蚀刻气体且NF₃与NH₃的体积流量比为1/10<NF₃/NH₃<1/2。

4.如权利要求1所述的移除制作工艺，其中上述蚀刻制作工艺的射频为10kW至40kW。

5.如权利要求1所述的移除制作工艺，其中上述蚀刻制作工艺的蚀刻的速率为0.5埃/秒至1.5埃/秒。

6.如权利要求1所述的移除制作工艺，其中上述回火制作工艺所通入的气体包括H₂与Ar。

7.如权利要求1所述的移除制作工艺，其中上述回火制作工艺的温度在摄氏150度至500度之间。

8.如权利要求1所述的移除制作工艺，其中上述材料层为氧化硅层。

9.如权利要求8所述的移除制作工艺，其中上述氧化硅层为原生氧化硅层。

10.如权利要求1所述的移除制作工艺，其中上述材料层位于鳍状物上。

11.如权利要求1所述的移除制作工艺，其中上述材料层为取代金属栅极制作工艺的介电层。

12.如权利要求1所述的移除制作工艺，其中上述移除制作工艺为预外延清洗制作工艺。

13.如权利要求1所述的移除制作工艺，其中上述移除制作工艺为鳍状晶体管的浅沟槽隔离结构的回蚀刻制作工艺。

14.如权利要求1所述的移除制作工艺，其中在进行上述循环制作工艺之前还包括进行预回火制作工艺。

15.如权利要求1所述的移除制作工艺，其中上述循环制作工艺还包括在将上述衬底移出上述蚀刻机台之前，还包括进行至少一吹净制作工艺。

16.如权利要求1所述的移除制作工艺，其中上述循环制作工艺还包括上述回火制作工艺之后进行至少一吹净制作工艺。

17.如权利要求16所述的移除制作工艺，其中上述至少一吹净制作工艺所通入的气体包括He。

18.如权利要求16所述的移除制作工艺，其中上述至少一吹净制作工艺的时间为10至60秒。