[发明专利]电子装置和制造电子装置的方法

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

导电载体；

半导体芯片，设置在所述载体上；以及

多孔扩散焊料层，设置在所述载体和所述半导体芯片之间。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述多孔扩散焊料层包括具有金属间相的颗粒。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，所述颗粒包括从由银、铜、金和铟构成的组中选择的第一金属成分，以及从由锡和锌构成的组中选择的第二金属成分。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，所述多孔扩散焊料层包括所述第一金属成分的重量百分比是50%至75%并且所述第二金属成分的重量百分比是25%至50%的化学组合物。

5.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，所述多孔扩散焊料层的颗粒被烧结或相互扩散。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，进一步包括设置在所述载体和所述多孔扩散焊料层之间的第一中间层，其中，所述第一中间层包括锡或锌。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，所述第一中间层包括由防锈层形成的表面。

8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述多孔扩散焊料层包括在从1μm到50μm的范围内的厚度。

9.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述载体是引线框。

10.根据权利要求1所述的半导体装置，进一步包括设置在所述多孔扩散焊料层和所述半导体芯片之间的第二中间层，其中，所述第二中间层包括烧结的或相互扩散的金属层。

11.一种半导体布置，包括：

半导体本体；以及

焊料膏层，设置在所述半导体本体的至少一个主表面的上方，所述焊料膏层包括从由银、铜、金和铟构成的组中选择的第一金属成分的第一颗粒；从由锡和锌构成的组中选择的第二金属成分的第二颗粒；以及埋设所述第一颗粒和所述第二颗粒的聚合物材料。

12.根据权利要求11所述的半导体布置，其中，所述聚合物材料包括B阶段聚合物材料。

13.根据权利要求12所述的半导体布置，其中，所述B阶段聚合物材料被预固化。

14.根据权利要求11所述的半导体布置，其中，所述聚合物材料是溶剂或液体。

15.根据权利要求14所述的半导体的布置，其中，所述溶剂或液体在预固化期间可蒸发。

16.根据权利要求11所述的半导体布置，其中，所述焊料膏层的总金属贡献包括所述第一金属成分的重量百分比是50%至75%并且所述第二金属成分的重量百分比是25%至50%的化学组合物。

17.一种在导电载体上接合半导体芯片的方法，所述方法包括：

在所述导电载体上形成焊料膏层，所述焊料膏层包括第一金属成分的第一颗粒和第二金属成分的第二颗粒；

将所述半导体芯片放置在所述焊料膏层上；以及

加热所述焊料膏层，从而将所述焊料膏层转换成多孔扩散焊料层。

18.根据权利要求17所述的方法，其中，在加热期间对所述焊料膏层施加的最高温度小于220℃。

19.根据权利要求17所述的方法，所述方法进一步包括在所述加热期间对所述焊料膏层施加外部压力。

20.根据权利要求19所述的方法，其中，所述外部压力在从3MPa到40MPa的范围内。

21.根据权利要求17所述的方法，其中，所述焊料膏层进一步包括埋设所述第一颗粒和所述第二颗粒的聚合物材料。

22.根据权利要求17所述的方法，其中，所述第一颗粒包括从由银、铜、金和铟构成的组中选择的第一金属成分，以及从由锡和锌构成的组中选择的第二金属成分。

23.一种提供具有焊料膏层的半导体芯片的方法，所述方法包括：

将包括第一金属成分的第一颗粒、第二金属成分的第二颗粒以及B阶段聚合物材料的焊料膏层涂覆在晶圆表面上；

加热所述焊料膏层以预固化所述B阶段聚合物材料；以及

将所述晶圆单个化为多个半导体芯片。