[发明专利]用于半导体器件制造的图案化方法

权利要求书

1.一种方法，包括：

在具有目标层的半导体衬底上形成第一图案，所述第一图案包括第一开口；

用填充材料填充所述第一开口，从而形成填充后的开口；

在所述半导体衬底上形成第二图案，所述第二图案包括第一部件和第二部件，所述填充后的开口介于所述第一部件和所述第二部件之间；

在所述填充后的开口、所述第一部件和所述第二部件的侧壁上形成间隔件元件；

在形成所述间隔件元件之后，去除包括所述第一部件和所述第二部件的材料以形成第二开口和第三开口，所述第二开口和所述第三开口的侧壁由所述间隔件元件来限定；以及

将所述填充后的开口、所述第二开口和所述第三开口用作掩模元件来蚀刻所述目标层。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述第一图案还包括形成第四和第五开口；填充还包括填充所述第四开口和所述第五开口以形成填充后的第四开口和填充后的第五开口；所述第一部件和所述第二部件被设置为均邻近于所述填充后的第四开口和所述填充后的第五开口并且横向于所述填充后的第四开口和所述填充后的第五开口。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述第二图案包括形成光刻胶的所述第一和第二部件。

4.根据权利要求1所述的方法，还包括：

通过在所述半导体衬底上的介电层上沉积硬掩模材料来形成所述目标层。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，填充所述第一开口包括沉积含硅抗反射涂层（Si-ARC）。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述第一开口包括沉积三层光刻胶堆叠件，并且在所述三层光刻胶堆叠件的下层中蚀刻所述第一开口。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，在所述填充后的开口、所述第一部件和所述第二部件的侧壁上形成所述间隔件元件还包括：

在所述填充后的开口、所述第一部件和所述第二部件上形成介电材料的共形层；以及

从所述填充后的开口、所述第一部件和所述第二部件中的每一个的顶面上去除所述共形层。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述填充后的开口、所述第二开口和所述第三开口基本是共面的。

9.一种半导体的制造方法，包括：

在衬底上形成第一光刻胶元件，所述第一光刻胶元件其中具有开口；

填充所述开口以形成填充后的开口；

在填充所述开口之后去除所述第一光刻胶元件；

在填充所述开口之后，形成邻近所述填充后的开口并且与所述填充后的开口共面的第二光刻胶元件和第三光刻胶元件；

在所述第二光刻胶元件和所述第三光刻胶元件的侧壁上形成间隔件元件；

在形成所述间隔件元件之后，去除所述第二光刻胶元件和所述第三光刻胶元件；以及

将所述填充后的开口和所述间隔件元件用作掩模元件以提供半导体器件的互连层。

10.一种方法，包括：

使用第一图案化工艺在衬底的层上形成第一部件；

在形成所述第一部件之后，使用第二图案化工艺在所述衬底的所述层上形成第二部件和第三部件，所述第一部件介于所述第二部件和所述第三部件之间，并且间隔件环绕所述第一部件；

在所述第一部件、所述第二部件和所述第三部件上方形成共形层；

回蚀所述共形层以露出所述第一部件、所述第二部件和所述第三部件的顶面；

在露出所述顶面之后去除所述第二部件和所述第三部件以形成第一开口和第二开口；

使用所述间隔件、所述第一开口和所述第二开口以在下方的层中形成沟槽；以及

使用所述沟槽以图案化半导体器件的互连结构。