[发明专利]半导体元件结构有效
| 申请号： | 201310349646.6 | 申请日： | 2013-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN103456792A | 公开（公告）日： | 2013-12-18 |
| 发明（设计）人： | 杨信佳;郭志盛 | 申请（专利权）人： | 泓广科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 | 代理人： | 孙皓晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体元件结构，其特征在于，包括：
一基板及至少一环状晶体管单元，该环状晶体管单元包含：
一实心栅极层，设于所述的基板中；
一环状栅极层，环设于所述的实心栅极层；及
一掺杂层，位于所述的实心栅极层与所述的环状栅极层之间。
2.如权利要求1所述的半导体元件结构，其特征在于，所述的环状晶体管单元为多边形或三角形。
3.如权利要求2所述的半导体元件结构，其特征在于，所述的实心栅极层为多边形栅极层，所述的环状栅极层形成对应所述的多边形栅极层的形状。
4.如权利要求2所述的半导体元件结构，其特征在于，所述的实心栅极层为三角形栅极层，所述的环状栅极层形成对应所述的三角形栅极层的形状。
5.如权利要求1所述的半导体元件结构，其特征在于，所述的掺杂层为漏极或源极。
6.如权利要求1所述的半导体元件结构，其特征在于，所述的环状晶体管单元为功率晶体管单元。
7.如权利要求1所述的半导体元件结构，其特征在于，所述的环状晶体管单元为多个时，间隔设于所述的基板中。
8.如权利要求1所述的半导体元件结构，其特征在于，所述的环状晶体管单元更包含多个子环状晶体管单元，其形状为三角形，环设形成一多边形环状晶体管单元或是一三角形环状晶体管单元。
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