[发明专利]一种超高密度热辅助磁记录用FeRh/FePt双层薄膜及其制备方法

权利要求书

1.一种超高密度热辅助磁记录用FeRh/FePt双层薄膜，所述薄膜第一层为铁磁性高各项异性L1₀有序结构的FePt合金薄膜，第二层为具有B2有序结构的FeRh合金薄膜；两层薄膜之间通过交换耦合相互作用在一起，FeRh合金薄膜中Fe、Rh原子比为1：1，FeRh薄膜厚度为10nm~50nm；FePt合金薄膜中Fe、Pt原子比为1：1，FePt薄膜厚度为10nm~50nm。

2.一种如权利要求1所述的超高密度热辅助磁记录用FeRh/FePt双层薄膜的制备方法，其特征在于具体步骤如下：

(1)利用磁控溅射技术在单晶MgO（001）基板上沉积FeRh合金薄膜，控制Fe、Rh原子比为1：1，FeRh薄膜厚度为10nm~50nm；溅射采用Fe₅₀Rh₅₀合金靶材，溅射时控制单晶MgO（001）基板温度为300~500℃，溅射腔的背底真空度为0.7×10^-5~5×10^-5Pa，溅射时氩气气压为1~20Pa；溅射过程中，单晶MgO（001）基板以5转/分钟~30转/分钟的速率旋转；

(2)溅射结束后，将单晶MgO（001）基板原位退火，退火温度为400~700℃，退火时间为0.5~2小时；

(3)退火结束后，利用磁控溅射技术继续在沉积有FeRh薄膜的单晶MgO（001）基板上沉积FePt合金薄膜，控制Fe、Pt原子比为1：1，FePt薄膜厚度为10nm~50nm；溅射采用Fe₅₀Pt₅₀合金靶材，其在溅射时基板温度为450~500℃；溅射腔的背底真空度为0.7×10^-5~5×10^-5Pa，溅射时氩气气压为1~20Pa；溅射过程中，基板以5转/分钟~30转/分钟的速率旋转。