[发明专利]一种碲化镉薄膜太阳能电池的制备方法

权利要求书

1.一种碲化镉薄膜太阳能电池的制备方法，包括在透明基板垂直方向上依次制备TCO层、CdS层、CdTe层、富Te层，其特征在于，所述富Te层制备方法包括如下步骤：

S1、在CdCl₂存在条件下，将表面制备有CdTe层的碲化镉薄膜太阳能电池半成品进行高温退火热处理；

S2、将步骤S1制得的碲化镉薄膜太阳能电池半成品置于包括阳极、阴极以及参比电极的三电极体系电沉积装置内，将TCO层连接阴极，对电极连接阳极，电沉积液中碲前驱物含量为0.1～0.3mmol/L，镉盐含量为0.2～0.5mol/L，将所述电沉积液加热到80～90℃或在CdTe层上制备所述富Te层的沉积面上垂直引入可见光，采用阴极电位渐变脉冲沉积或连续扫描电位沉积进行富Te层的沉积。

2.根据权利要求1所述的碲化镉薄膜太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述电位渐变脉冲沉积的脉冲电位的渐变范围为-0.86V～-0.2V，每次脉冲沉积时间为1～10s，每个脉冲周期的电位降为0.08mV～0.7mV，脉冲个数为120～1000个。

3.根据权利要求1所述的碲化镉薄膜太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述连续扫描电位沉积的电位扫描范围为-0.86V～-0.2V，扫描速率为0.2～0.56mV/S。

4.根据权利要求1-3任一项所述的碲化镉薄膜太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述可见光的光源为具有1000w/m²辐照度的氙灯。

5.根据权利要求4所述的碲化镉薄膜太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述碲前驱物为二氧化碲和/或亚碲酸盐。

6.根据权利要求5所述的碲化镉薄膜太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述镉盐为硫酸镉、醋酸镉、硝酸镉、氯化镉中的一种或多种的组合。

7.根据权利要求6所述的碲化镉薄膜太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述电沉积液为酸性溶液或碱性溶液。

8.根据权利要求7所述的碲化镉薄膜太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述碱性溶液中还包括氮三乙酸。

9.根据权利要求8所述的碲化镉薄膜太阳能电池的制备方法，其特征在于，步骤S1中高温退火的温度为370～400℃，时间为5～30分钟。