[发明专利]熔盐法键合掺杂或纯钇铝石榴石与掺杂钇铝石榴石晶体的方法有效
申请号: | 201310351453.4 | 申请日: | 2013-08-13 |
公开(公告)号: | CN103436966A | 公开(公告)日: | 2013-12-11 |
发明(设计)人: | 万文;万黎明 | 申请(专利权)人: | 安徽环巢光电科技有限公司 |
主分类号: | C30B31/02 | 分类号: | C30B31/02;C30B29/28 |
代理公司: | 安徽汇朴律师事务所 34116 | 代理人: | 胡敏 |
地址: | 230001 安徽*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 熔盐法键合 掺杂 纯钇铝 石榴石 晶体 方法 | ||
1.熔盐法键合掺杂或纯钇铝石榴石与掺杂钇铝石榴石晶体的方法,其特征在于,包括如下步骤:
1)首先将两个待键合晶体抛光进行光胶键合,加温加压,将两个待键合晶体粘合在一起成为键合晶体;
2)按照以下原料重量配比配置助熔剂:氧化硼4-6份,高纯YAG粉末2-3份,有机粘合物1-2份,以及去离子水适量;然后在键合晶体的键合部位均有涂上一层3-5mm长的助熔剂,硬化后,将键合晶体放入退火槽中,用氧化铝粉末保温,铺平,用化铝粉填埋,加盖后,放入硅钼炉内烧制;
3)升温至300℃时保温3小时,然后以50℃/H的速度升温到1100度,再以15-30℃/H的速度升温至1300-1500℃即可,恒温24-26小时;
4)开始降温,先以3-5℃/H的速度降温,降温24小时后,以10-15℃/H的速度继续降温24小时,随后以15-30℃/H的速度降温至1000℃,而后以30-50℃/H的速度降温至600℃,随之以50-100℃/H的速度降温至300℃时关闭电源,让其自然降温至0℃出炉;
5)出炉后用碳化硼砂子对键合晶体涂抹助熔剂的部分进行精搓。
2.如权利要求1所述的熔盐法键合掺杂或纯钇铝石榴石与掺杂钇铝石榴石晶体的方法,其特征在于,所述步骤1)中两个待键合晶体光胶键合后的直径比最终键合后产品的直径大0.25-0.3mm。
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