[发明专利]具有沟槽式填料栅格的图像传感器

权利要求书

1.一种图像传感器，包括：

光电二极管阵列，形成在衬底上方；

介电栅格，形成在所述光电二极管阵列上方；以及

填充栅格，形成在所述介电栅格之间，所述填充栅格包括形成在所述光电二极管阵列的第一光电二极管上方的第一填充结构，所述第一填充结构基本上形成在所述介电栅格的顶面和所述第一光电二极管之间。

2.根据权利要求1所述的图像传感器，包括：

反射层，形成在所述介电栅格上方但并不覆盖所述光电二极管阵列的各个光电二极管。

3.根据权利要求2所述的图像传感器，所述反射层包括：

第一反射部分，形成在所述第一填充结构的第一表面和所述介电栅格之间；以及

第二反射部分，形成在所述第一填充结构的与所述第一表面相对的第二表面和所述介电栅格之间。

4.根据权利要求1所述的图像传感器，包括：

高k介电层，形成在所述填充栅格和所述介电栅格之间，并且形成在所述第一填充结构和所述第一光电二极管之间。

5.一种图像传感器，包括：

光电二极管阵列，形成在衬底上方；

介电栅格，形成在所述光电二极管阵列上方；以及

反射层，形成在所述介电栅格上方但并不覆盖所述光电二极管阵列的各个光电二极管，所述反射层包括第一反射部分，所述第一反射部分被配置为将光引导向第一光电二极管并且使所述光反射从而远离第二光电二极管。

6.根据权利要求5所述的图像传感器，包括：

填充栅格，形成在所述反射层上方，所述填充栅格包括形成在所述光电二极管阵列的第一光电二极管上方的第一填充结构，所述第一填充结构基本上形成在所述介电栅格的顶面和所述第一光电二极管之间。

7.一种用于形成图像传感器的方法，包括：

在包含在衬底内的光电二极管阵列上方形成介电层；

在所述介电层中形成一个或多个沟槽以形成介电栅格，所述一个或多个沟槽形成在所述光电二极管阵列的各个光电二极管上方；

在所述一个或多个沟槽内和所述介电栅格上方形成反射层，所述反射层包括第一反射部分，所述第一反射部分被配置为将光引导向第一光电二极管并且使所述光反射从而远离第二光电二极管；以及

去除形成在所述光电二极管阵列的各个光电二极管上方的反射层部分。

8.根据权利要求7所述的方法，包括：

在所述反射层上方形成填充栅格，所述填充栅格包括形成在所述光电二极管阵列的第一光电二极管上方的第一填充结构，所述第一填充结构基本上形成在所述介电栅格的顶面和所述第一光电二极管之间。

9.根据权利要求8所述的方法，形成所述填充栅格包括：

形成所述第一填充结构以提供到达所述第一光电二极管的光传播路径，所述光传播路径不包括所述介电栅格。

10.根据权利要求7所述的方法，形成所述一个或多个沟槽包括：

使第一沟槽形成到对应于所述第一光电二极管的顶面的深度。