[发明专利]废气处理装置

说明书

技术领域

本发明涉及废气净化处理的技术领域，特别涉及一种废气处理装置。

背景技术

周知，在半导体晶圆厂、光电厂、面板厂、太阳能厂于产制例如是晶圆或是各式面板等产品的过程中，有时会生成有害的废气。例如：以半导体晶圆厂来说，其制作过程中所生成的有害废气包含有单硅烷(SiH₄)、氯气(Cl₂)、PFC(全氟化合物(perfluoro－compounds))等，在处理含有上述气体的废气时，一般是使用湿式法、吸附法、加热分解法及燃烧法等4种方法。

其中，加热分解法是指在废气处理槽内设置加热器，而加热器在废气处理槽内形成一加热腔室，当有害废气进入废气处理槽内到达加热腔室时，通过加热器以热辐射的方式加热有害废气，迫使有害废气中所含有害物质接受高温催化，而分解成无害物质；而湿式法是指使有害废气通过设置有多个洒水器的水洗室，凭借洒水器所喷洒的水幕与有害废气接触，将有害废气中所含可溶于水的有害物质加以溶解，以达到净化有害废气的效果；至于燃烧法是指利用火焰燃烧有害废气，以达到净化有害废气的效果，由于用来提供火焰燃烧的燃气是将甲烷(CH₄)、乙烷(C₂H₆)、丙烷(C₃H₈)等燃料和空气以既定比例混合而成，其中甲烷燃烧后会产生例如是一氧化碳(CO)等有害气体，造成二次污染。因此，目前在以环保为前提而采取的半导体制作过程废气处理方式，是利用加热分解法搭配湿式法，来达到净化废气的效果。

然而，由于传统的废气处理装置内缺乏延滞有害废气通过时间的设计，迫使有害废气在通过废气处理槽内接受加热的时间较为短暂，导致在以加热分解法净化有害废气时，由于有害废气接受加热时间的不足，导致有害废气中的有害物质难以完全催化，进而影响到有害废气的净化效率，因此，如何能延滞有害废气在废气处理槽内接受加热的时间，进而提升有害废气的净化效率，已成为熟悉本技术领域人士所应面对的待以改善的重要课题。

发明内容

有鉴于此，本发明的目的旨在提供一种废气处理装置，通过延滞有害废气在废气处理槽内受热净化的时间，进而提升有害废气的净化效率。

为能实现上述目的并解决问题，本发明的废气处理装置的技术手段，包括：一废气处理槽，形成一废气进气口及一废气出气口，且该废气处理槽内的四周环绕配置一环状加热器，该环状加热器内设置一加热棒，该环状加热器与加热棒之间形成一加热腔室；一隔板，穿设于环状加热器与加热棒之间，该隔板于加热腔室内间隔形成一气体流道。其中，该气体流道的一进气端连通废气进气口，该气体流道的一出气端则通过加热腔室连通废气出气口，废气自废气进气口经由气体流道通过加热腔室流向废气进气口。

依此，本发明是经由在环状加热器与加热棒之间设置隔板进而形成的气体流道，并利用该气体流道延滞有害废气通过加热腔室的时间，使废气能充分得到加热，以净化有害废气中所含有害物质，进而避免污染环境。

在实施上，本发明还包括：

该气体流道为迂回形流道。依此，以延滞有害废气经由气体流道通过加热腔室的时间，使有害废气在加热腔室得到充分加热，进而提升废气的净化效率。

该隔板包含一外隔板及一内隔板，该外隔板穿设于环状加热器与加热棒之间，该内隔板穿设于外隔板与加热棒之间，该气体流道是经由外隔板及内隔板于加热腔室内间隔而形成。其中，该气体流道包含一第一气体流道、一第二气体流道及一第三气体流道，该第一气体流道形成于环状加热器与外隔板之间，该第二气体流道形成于外隔板与内隔板之间，该第三气体流道形成于内隔板与加热棒之间，该气体流道的进气端依序经由第一气体流道、第二气体流道及第三气体流道连通出气端。依此，通过外隔板及内隔板在加热腔室间隔形成气体流道，进而延滞有害废气通过加热腔室的时间，以提升有害废气的净化效率。

还包含一水洗室，该水洗室是设置于废气进气口的一端或废气出气口的一端。其中该水洗室还可为多个，所述水洗室是分别设置于废气进气口的一端及废气出气口的一端。依此，利用水洗室将有害废气中可溶于水的有害物质加以溶解，同时冷却加热后的废气，以利于排放至外界大气中，而不会造成环境的污染。

还包含一高压空气进气口，形成于废气处理槽上且连通气体流道的进气端。依此，利用高压空气带动有害废气通过气体流道，并提供有害废气中所含有害物质在接受高温催化时需要的氧气。

该废气处理槽外部包覆有一隔热层。依此，能减少废气处理槽在处理有害废气时所发出的高温影响到外界环境。