[发明专利]光掩模制造方法有效

专利信息
申请号: 201310354226.7 申请日: 2013-08-14
公开(公告)号: CN104375378B 公开(公告)日: 2019-04-26
发明(设计)人: 张沧岂 申请(专利权)人: 上海凸版光掩模有限公司
主分类号: G03F1/72 分类号: G03F1/72;G03F1/84
代理公司: 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 代理人: 李仪萍
地址: 200233 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 光掩模 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种光掩模制造方法,其特征在于,所述光掩模制造方法至少包括:

1)采用包含曝光及蚀刻在内的工艺来形成待检光掩模;

2)在待检光掩模经过清洗后,进行图案检查以确定所述待检光掩模是否能采用修补设备进行修补;

3)当确定所述待检光掩模采用修补设备已无法修补时,基于缺陷的相关信息来判断缺陷是否能通过再加工来消除,所述缺陷的相关信息包括缺陷的尺寸及缺陷与相邻图案区域是否相连,当所述缺陷与相邻图案区域不相连,则判断缺陷能通过再加工来消除;

4)当确定缺陷能通过再加工消除时,基于缺陷的位置对所述待检光掩模重新进行加工处理以消除相应缺陷,并于检验合格后进行贴膜处理;所述加工处理的步骤包括:在所述待检光掩模表面涂布光刻胶,对所述缺陷的位置进行局部曝光、显影及刻蚀,去除残余光刻胶并清洗。

2.根据权利要求1所述的光掩模制造方法,其特征在于:

当确定缺陷能通过再加工消除时,基于缺陷的位置对所述待检光掩模重新进行加工处理以消除相应缺陷后,并于清洗后再次进行图案检查。

3.根据权利要求1所述的光掩模制造方法,其特征在于还包括:

当确定所述待检光掩模需要修补时,则采用相应修补设备来修补所述待检光掩模,并于清洗后再次进行图案检查。

4.根据权利要求1所述的光掩模制造方法,其特征在于:当缺陷的尺寸超过30微米且与相邻图案区域不相连,则判断缺陷能通过再加工来消除。

5.根据权利要求4所述的光掩模制造方法,其特征在于:当缺陷的尺寸超过30微米且与相邻图案区域有10微米以上间隔,则判断缺陷能通过再加工来消除。

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