[发明专利]磷化铟生长坩埚清洗方法

说明书

技术领域：

本发明属于半导体材料制备领域，具体涉及一种磷化铟生长坩埚的清洗方法。

背景技术

InP晶体生长技术在世界范围内分为三种：垂直温度梯度结晶生长法(VGF)、水平生长法、液封提拉晶体生长法。相比较于其它二项技术，垂直温度梯度结晶生长法技术特点是：1、晶体缺陷密度低；2、生长方向是<1000>，这样有利大尺寸生长。

垂直温度梯度结晶生长法是将盛有多晶材料的PBN(热压氮化硼)坩埚封装在一个石英器皿之中，然后垂直放入多温区VGF炉中生长。因此，PBN坩埚是制备磷化铟单晶体的重要器件，其表面的洁净程度的高低，杂质含量的多少，对磷化铟单晶体纯度及性能有着重大的影响。

发明内容

根据以上情况，本发明的目的在于提供一种磷化铟生长坩埚清洗方法，可去除PBN坩埚表面的杂质，保证InP单晶的生成质量。

为实现上述目的，本方法包括：

1)先将磷化铟生长坩埚放入超声波清水洗5-10分钟；

2)晾干后放到明火中燃烧5-10分钟，火焰温度在1200℃以上；

3)冷却后取出置入真空烘烤炉中，然后，用抽真空设备将烘烤炉的本底真空度抽至10^-5Pa数量级及以上，温度100-150℃，持续10-40分钟；

4)冷却后取出放置于真空干燥器中待用。

本发明的优点在于：该方法简单易行，步骤简便，清洁效果显著，保证了生产产品的质量。

具体实施方式

下面结合具体实施例对本发明做进一步的说明。

将PBN坩埚放入超声波清水洗10分钟，去除表面的灰尘；晾干后放到明火中燃烧10分钟，火焰温度在1200℃以上；取出冷却后置入真空烘烤炉中，依次用机械泵、分子涡轮泵将烘烤炉真空度抽至10^-5Pa，温度150℃，持续30分钟。冷却后取出放置于真空干燥器中待用。

本方法操作步骤简便，可达到较好的磷化铟生长坩埚表面清洁的目的。