[发明专利]三维微米凹球的制备方法在审
| 申请号： | 201310356009.1 | 申请日： | 2013-08-15 |
| 公开（公告）号： | CN104377286A | 公开（公告）日： | 2015-02-25 |
| 发明（设计）人： | 顾长志;尹红星;杨海方;刘哲 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | H01L33/22 | 分类号： | H01L33/22;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人： | 王勇 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 三维 微米 制备 方法 | ||
1.一种三维微米凹球的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
1）在衬底上旋涂正型光刻胶并烘干；
2）通过掩膜板采用紫外线对所述正型光刻胶进行曝光；
3）对曝光后的正型光刻胶进行显影得到光刻胶图形，利用干法刻蚀将所述光刻胶图形转移到所述衬底上；
其中所述掩膜板为明场掩膜，所述掩膜板上具有呈二维六角排布的多个圆斑，所述紫外线的曝光剂量为50mJ/cm2-70mJ/cm2。
2.根据权利要求1所述的三维微米凹球的制备方法，其特征在于，还包括：
4）除去所述衬底上残留的正型光刻胶。
3.根据权利要求1所述的三维微米凹球的制备方法，其特征在于，所述圆斑直径为2微米-3微米，相邻的圆斑的间距为1微米-3微米。
4.根据权利要求3所述的三维微米凹球的制备方法，其特征在于，所述曝光为接触式曝光。
5.根据权利要求1至4任一项所述的三维微米凹球的制备方法，其特征在于，所述干法刻蚀包括反应离子刻蚀或感应耦合等离子体刻蚀。
6.根据权利要求1至4任一项所述的三维微米凹球的制备方法，其特征在于，所述干法刻蚀对所述正型光刻胶的刻蚀速率与所述干法刻蚀对所述衬底的刻蚀速率的比值为0.8-1.2。
7.根据权利要求1至4任一项所述的三维微米凹球的制备方法，其特征在于，所述正型光刻胶的厚度为1微米-1.5微米。
8.根据权利要求1至4任一项所述的三维微米凹球的制备方法，其特征在于，所述正型光刻胶为S1813或AR-P5350。
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