[发明专利]阵列基板及液晶显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括像素单元、公共电极走线、数据线、以及与所述数据线相交且互相平行的第一扫描线和第二扫描线；

所述像素单元包括第一像素电极、第二像素电极、第一开关、第二开关和第三开关，所述像素单元还包括控制电路；所述第一开关与所述第二开关均包括控制端、输入端和输出端，所述第一扫描线与所述第一开关和第二开关的控制端连接，以对所述第一开关和第二开关提供扫描信号，所述数据线与所述第一开关和第二开关的输入端连接，所述第一像素电极与所述第一开关的输出端连接，所述第二像素电极与所述第二开关的输出端连接，所述第三开关包括控制端、第一端和第二端，所述第二扫描线与所述第三开关的控制端连接，以对所述第三开关提供扫描信号，所述第二像素电极与第三开关的第一端连接，所述控制电路与所述第三开关的第二端连接；

其中，在正极性反转和负极性反转时，所述控制电路在所述第三开关导通时作用于所述第二像素电极，以改变所述第二像素电极的电压，且所述控制电路在正极性反转时的有效电容的电容值和在负极性反转时的有效电容的电容值相等，以使得在正极性反转时所述第二像素电极和公共电极走线之间的电压差与所述第一像素电极和公共电极走线之间的电压差的比值，和在负极性反转时所述第二像素电极和公共电极走线之间的电压差与所述第一像素电极和公共电极走线之间的电压差的比值相等。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，

所述控制电路包括第一电容和第二电容，所述第一电容与第二电容的结构相同，均依次包括第一金属层、绝缘层、半导体层以及第二金属层，所述第一电容的第二金属层和所述第二电容的第一金属层与所述第三开关的第二端连接，所述第一电容的第一金属层和所述第二电容的第二金属层与所述公共电极走线连接；

在正极性反转时，在所述第二扫描线输入扫描信号以控制所述第三开关导通时，所述第二像素电极的电压通过所述第一电容和所述第二电容减小，在负极性反转时，在所述第二扫描线输入扫描信号以控制所述第三开关导通时，所述第二像素电极的电压通过所述第一电容和所述第二电容增加，所述第一电容在正极性反转时的电容值大于在负极性反转时的电容值，所述第二电容在正极性反转时的电容值小于在负极性反转时的电容值，以使得在正极性反转时所述第一电容的电容值与第二电容的电容值之和与在负极性反转时所述第一电容和第二电容的电容值之和相等，进而使得所述控制电路在正极性反转时的有效电容的电容值和在负极性反转时的有效电容的电容值相等。

3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，

所述第一开关、第二开关以及第三开关均为薄膜晶体管，分别为第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管以及第三薄膜晶体管，所述第一开关的控制端、输入端和输出端分别对应为所述第一薄膜晶体管的栅极、源极和漏极，所述第二开关的控制端、输入端和输出端分别对应为所述第二薄膜晶体管的栅极、源极和漏极，所述第三开关的控制端、第一端和第二端分别对应为所述第三薄膜晶体管的栅极、源极和漏极。

4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，

所述第一开关、第二开关以及第三开关分别为第一达林顿管或三极管、第二达林顿管或三极管以及第三达林顿管或三极管，所述第一开关的控制端、输入端和输出端分别对应为所述第一达林顿管或三极管的基极、集电极和发射极，所述第二开关的控制端、输入端和输出端分别对应为所述第二达林顿管或三极管的基极、集电极和发射极，所述第三开关的控制端、第一端和第二端分别对应为第三达林顿管或三极管的基极、集电极和发射极。

5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，

一个所述像素单元所对应的所述第二扫描线与相邻下一个像素单元所对应的第一扫描线为同一条扫描线。