[发明专利]溅射靶及包括通过其沉积的黑矩阵的有机发光显示装置无效
| 申请号： | 201310357338.8 | 申请日： | 2013-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN103590009A | 公开（公告）日： | 2014-02-19 |
| 发明（设计）人： | 韩镇宇;金义洙;朴承元;金珠锡;孙仁成 | 申请（专利权）人： | 三星康宁精密素材株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C23C14/08;H01L27/32 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 韩明星;韩芳 |
| 地址： | 韩国庆尚*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 溅射 包括 通过 沉积 矩阵 有机 发光 显示装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种在用于沉积黑矩阵的溅射工艺中使用的溅射靶，所述溅射靶包括从由Mo-Si-O、W-Si-O和Mo-W-Si-O组成的组中选择的一种，Mo或W的含量为Si的含量的至少0.5倍。
2.一种有机发光显示装置，包括：
基底，在基底上限定有第一区域和第二区域；
黑矩阵，形成在第二区域上；
绝缘层，形成在第一区域和黑矩阵上；
有机发光器件，对应于第一区域形成在绝缘层上；
薄膜晶体管，对应于第二区域形成在绝缘层上，
其中，黑矩阵包括从由Mo-Si-O、W-Si-O和Mo-W-Si-O组成的组中选择的一种，Mo或W的含量为Si的含量的至少0.5倍。
3.如权利要求2所述的有机发光显示装置，所述有机发光显示装置具有底部发射结构。
4.如权利要求2所述的有机发光显示装置，其中，绝缘层由Si制成。
5.如权利要求2所述的有机发光显示装置，其中，黑矩阵的透射率为5%或更低。
6.如权利要求2所述的有机发光显示装置，其中，溅射包括直流磁控溅射。
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