[发明专利]硅基半导体超短脉冲激光器

权利要求书

1.一种硅基半导体超短脉冲激光器，包括：

一硅衬底、一缓冲层、一下光限制包层、一下势垒、一有源层、一上势垒、一上光限制包层和一欧姆接触层；

其中该缓冲层、下光限制包层、下势垒、有源层、上势垒、上光限制包层和欧姆接触层依次制作在硅衬底上；

所述下光限制包层、下势垒、有源层、上势垒、上光限制包层和欧姆接触层为半导体激光器外延结构；

其中在欧姆接触层的表面向下开有沟槽，该沟槽中填充有二氧化硅材料，该沟槽的一侧为半导体放大器，另一侧为可饱和吸收体结构。

2.根据权利要求1所述的硅基的半导体超短脉冲激光器，其中所述硅衬底为(100)面偏向[110]或[111]方向4-9°的N型掺杂硅衬底。

3.根据权利要求1所述的硅基的半导体超短脉冲激光器，其中所述的缓冲层的材料为GaAs或Ge/GaAs。

4.根据权利要求1所述的硅基的半导体超短脉冲激光器，其中所述的下光限制包层和上光限制包层的材料为AlGaAs或InGaAsP，厚度为1-3微米。

5.根据权利要求1所述的硅基的半导体超短脉冲激光器，其中所述的下势垒和上势垒的材料为GaAs、AlGaAs、InGaAsP或InGaAs，厚度为2微米以下。

6.根据权利要求1所述的硅基的半导体超短脉冲激光器，其中所述的有源层为多周期结构，周期数为1-20。

7.根据权利要求6所述的硅基的半导体超短脉冲激光器，其中所述的有源层的材料为In(Ga)As量子点、InGaAs量子阱、Ga(Al)As量子阱或InGaAsP量子阱。

8.根据权利要求1所述的硅基的半导体超短脉冲激光器，其中欧姆接触层的材料为高掺的GaAs或InGaP，厚度为0.5微米以下。